[发明专利]一种显示面板及其驱动方法、显示装置有效
申请号: | 201911047169.1 | 申请日: | 2019-10-30 |
公开(公告)号: | CN110676300B | 公开(公告)日: | 2022-02-22 |
发明(设计)人: | 王俊强;张国峰 | 申请(专利权)人: | 武汉天马微电子有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G09G3/3225 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 孟金喆 |
地址: | 430205 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 面板 及其 驱动 方法 显示装置 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,包括:衬底;
像素单元层,设置于所述衬底的一侧;所述像素单元层包括阵列排布的多个像素单元;各所述像素单元包括主像素区和亚像素区;在远离所述衬底的方向上,所述主像素区依次包括第一电极、有机发光层、第二电极;所述亚像素区依次包括第三电极和第四电极;所述第一电极与所述第三电极同层设置,所述第二电极与所述第四电极同层设置;所述主像素区和所述亚像素区绝缘设置;
电致变色层,设置于所述像素单元层远离所述衬底的一侧;所述电致变色层分别与所述第二电极和所述第四电极电性连接;
所述电致变色层包括与所述像素单元一一对应的电致变色单元;所述电致变色单元在所述衬底上的垂直投影覆盖对应所述像素单元的主像素区和亚像素区;所述电致变色单元与对应像素单元的第二电极和第四电极电性连接。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述电致变色层在所述第二电极和所述第四电极产生第一电场时具有第一透射率,并在所述第二电极和所述第四电极产生第二电场时具有第二透射率,所述第一透射率大于所述第二透射率;所述第一透射率大于或等于80%,所述第二透射率小于或等于10%。
3.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括:第五电极,设置于所述电致变色层远离所述衬底的一侧;所述第五电极与所述电致变色单元一一对应电性连接;在平行于所述衬底的平面内,所述第五电极覆盖对应的所述电致变色单元,并延伸至所述亚像素区,与所述第四电极电连接。
4.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述电致变色层为整层结构;所述电致变色层在所述衬底上的垂直投影覆盖所有所述像素单元;所述电致变色层与所有像素单元的第二电极和第四电极电性连接。
5.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述电致变色层的材料包括下述至少一种:三氧化钨、聚噻吩类及其衍生物、紫罗精类、四硫富瓦烯和金属酞菁类化合物。
6.根据权利要求5所述的显示面板,其特征在于,所述电致变色层通过电镀工艺、化学气相沉积工艺、物理气相沉积工艺和蒸镀工艺中的至少一种工艺形成。
7.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,还包括:封装层;
所述封装层设置于所述电致变色层远离所述衬底的一侧,所述封装层在所述衬底上的垂直投影覆盖所述衬底。
8.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括像素限定层;
所述像素限定层设置于所述像素单元层靠近所述衬底的一侧;用于实现相邻所述像素单元之间的绝缘,并用于实现每个像素单元中主像素区和所述亚像素区之间的绝缘。
9.一种显示装置,其特征在于,包括上述权利要求1-8任一项所述的显示面板。
10.一种显示面板的驱动方法,其特征在于,适用于上述权利要求1-8任一项所述的显示面板,所述显示面板的驱动方法包括:
应用在主像素区是否为发光状态时,当像素单元的主像素区为发光状态时,控制所述像素单元的第二电极和第四电极之间产生第一电场,使得电致变色层具有第一透射率;
当像素单元的主像素区为非发光状态时,控制所述像素单元的第二电极和第四电极产生第二电场,使得所述电致变色层具有第二透射率;所述第一透射率大于所述第二透射率。
11.根据权利要求10所述的显示面板的驱动方法,其特征在于,
应用在主像素区是否为发光状态时,当所处像素单元的主像素区为发光状态时,控制所处像素单元的第二电极和第四电极之间产生第一电场,使得所处像素单元对应的电致变色单元具有第一透射率;
当所处像素单元的主像素区为非发光状态时,控制所处像素单元的第二电极和第四电极产生第二电场,使得所处像素单元对应的电致变色单元具有第二透射率。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的