[发明专利]形成半导体器件的方法

说明书

在一个实施例中，一种方法包括：形成从衬底延伸的第一鳍；形成从衬底延伸的第二鳍，第二鳍通过第一距离与第一鳍间隔开。在第一鳍和第二鳍上方形成金属栅极堆叠件；在金属栅极堆叠件上方沉积第一层间电介质；以及形成延伸穿过第一层间电介质以物理接触金属栅极堆叠件的栅极接触件，该栅极接触件横向地设置在第一鳍和第二鳍之间，栅极接触件通过第二距离与第一鳍间隔开。当第一距离大于或等于第一预定阈值时，第二距离小于第二预定阈值。本剧本申请的实施例，提供了形成半导体器件的方法。

技术领域

本申请的实施例涉及半导体领域，并且更具体地，涉及形成半导体器件的方法。

背景技术

半导体器件被用于各种电子应用中，例如，举例来说，个人计算机，手机，数码相机和其他电子设备。通常通过以下方式制造半导体器件：依次在半导体衬底上沉积绝缘层或介电层，导电层和材料的半导体层，并使用光刻在各种材料层上构图以在其上形成电路组件和元件。

半导体工业通过不断减小最小特征尺寸来继续提高各种电子部件(例如，晶体管，二极管，电阻器，电容器等)的集成密度，这允许将更多的部件集成到给定区域中。但是，随着最小特征尺寸的减小，出现了其他应解决的问题。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可以更好地理解本公开的各个方面。应该指出的是，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。

图1A、图1B、图1C、图2A、图2B、图2C、图2D、图3A、图3B、图3C、图4A、图4B、图4C、图5A、图5B、图5C、图6A、图6B和图6C根据一些实施例示出了鳍状场效应晶体管(FinFET)制造中的中间阶段。

图7A和图7B示出了根据一些实施例的栅极接触布局。

图8示出了根据一些实施例的用于栅极接触布局的实验数据。

图9A和图9B示出了根据一些其他实施例的栅极接触布局。

图10至图13示出了根据一些其他实施例的栅极接触布局。

发明内容

根据本申请的实施例，提供了一种形成半导体器件的方法，包括：形成从衬底延伸的第一鳍；形成从衬底延伸的第二鳍，第二鳍通过第一距离与第一鳍间隔开；在第一鳍和第二鳍上方形成金属栅极堆叠件；在金属栅极堆叠件上方沉积第一层间电介质；以及形成延伸穿过第一层间电介质以物理接触金属栅极堆叠件的栅极接触件，栅极接触件横向地设置在第一鳍和第二鳍之间，栅极接触件通过第二距离与第一鳍间隔开，其中，当第一距离大于或等于第一预定阈值时，第二距离小于第二预定阈值。

根据本申请的实施例，提供了一种形成半导体器件的方法，包括：形成从衬底延伸的第一鳍；在第一鳍上方形成伪栅极堆叠件；沿伪栅极堆叠件沉积第一层间电介质；用金属栅极堆叠件替换伪栅极堆叠件，将金属栅极堆叠件的端部变圆，金属栅极堆叠件包括空隙，空隙设置为与金属栅极堆叠件的圆形端相距第一距离；在金属栅极堆叠件和第一层间电介质上方形成第二层间电介质；以及形成延伸穿过第二层间电介质以物理接触金属栅极堆叠件的第一部分的栅极接触件，金属栅极堆叠件的第一部分设置为与金属栅极堆叠件的圆形端相距第二距离，第二距离大于第一距离。

根据本申请的实施例，提供了一种形成半导体器件的方法，包括：形成从衬底延伸的第一鳍；形成从衬底延伸的第二鳍；在第一鳍和第二鳍上方形成金属线；沿第一区域切割金属线以将金属线分成第一金属栅极堆叠件和第二金属栅极堆叠件，第一金属栅极堆叠件位于第一鳍上方，第二金属栅极堆叠件位于第二鳍上方；在第一金属栅极堆叠件和第二金属栅极堆叠件上方沉积第一层间电介质；形成延伸穿过第一层间电介质以物理接触第一金属栅极堆叠的第一栅极接触件，第一栅极接触件设置为与第一区域相距第一距离；以及形成第二栅极接触件，第二栅极接触件延伸穿过第一层间电介质以物理接触第二金属栅极堆叠件，第二栅极接触设置为与第一区域相距第一距离。