[发明专利]使用电解的氯化物溶液进行蚀刻在审
| 申请号： | 201911045721.3 | 申请日： | 2019-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN111354635A | 公开（公告）日： | 2020-06-30 |
| 发明（设计）人： | Q·T·乐;H·菲利普森;F·豪斯恩 | 申请（专利权）人： | IMEC非营利协会 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 蔡文清;沙永生 |
| 地址： | 比利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 使用 电解 氯化物 溶液 进行 蚀刻 | ||
1.一种在半导体结构上蚀刻一个或多个实体的方法，各实体由选自金属和金属氮化物的材料制成，所述方法包括如下步骤：
a.通过在至少0.1A的电流下电解使含有浓度为0.01mol/l至1.0mol/l氯阴离子的前体溶液氧化，由此形成蚀刻溶液；
b.提供在其上具有一个或多个实体的半导体结构；以及
c.通过使一个或多个实体与蚀刻溶液接触来至少部分蚀刻所述一个或多个实体。
2.如权利要求1所述的方法，其中，所述金属选自下组：钌、铜、钼、钛、铑、钽和铱，并且其中，所述金属氮化物选自下组：氮化铝、氮化钛和氮化钽。
3.如前述任一项权利要求所述的方法，其中，所述一个或多个实体包含在钌部分上的铜部分，并且步骤c蚀刻至少部分的铜部分和至少部分的钌部分。
4.如前述权利要求中任一项所述的方法，所述方法还包括向所述前体溶液或蚀刻溶液提供氢氧化铵或有机氢氧化铵。
5.如前述权利要求中任一项所述的方法，所述方法还包括向所述前体溶液或蚀刻溶液提供用于溶解金属氧化物的化合物。
6.如前述权利要求中任一项所述的方法，所述方法还包括向所述前体溶液或蚀刻溶液提供提供用于使金属络合的化合物。
7.如前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述一个或多个实体包含在钌部分上的铜部分，所述钌部分在金属氮化物部分上，并且，步骤c蚀刻至少部分的铜部分、至少部分的钌部分和至少部分的金属氮化物部分。
8.如前述权利要求中任一项所述的方法，所述方法的前提是在步骤a期间一个或多个实体并未与前体溶液接触。
9.如前述权利要求中任一项所述的方法，其中，步骤a中的电流为至少0.4A，优选至少0.8A。
10.如前述权利要求中任一项所述的方法，其中，步骤a中的前体溶液的PH为至多7，优选至多5，更优选至多3。
11.如权利要求10所述的方法，所述方法还包括在步骤a之后且步骤c之前的步骤a’：将蚀刻溶液的pH调整至pH大于7，优选至少9，更优选至少11。
12.如前述权利要求中任一项所述的方法，其中，使用掺杂的金刚石电极进行电解。
13.如前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述前体溶液和蚀刻溶液是水性溶液。
14.如前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述一个或多个实体中的至少一个是对腔进行加衬的层。
15.如权利要求14所述的方法，其中，所述一个或多个实体包括一个或多个对腔进行加衬的层以及填充腔的金属，并且步骤c蚀刻一个或多个对腔进行加衬的层中的至少一个层的顶部部分，并且蚀刻填充腔的金属的顶部。
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