[发明专利]有机发光二极体器件和其制作方法在审
申请号: | 201911045138.2 | 申请日: | 2019-10-30 |
公开(公告)号: | CN110828693A | 公开(公告)日: | 2020-02-21 |
发明(设计)人: | 杜中辉 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/56;H01L27/32 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 李新干 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光 二极体 器件 制作方法 | ||
1.一种有机发光二极体器件,包括:
衬底;
薄膜电晶体电路层;
复数个隔墙,所述复数个隔墙彼此间隔并设置于所述薄膜电晶体电路层之上;
复数个辅助阴极层,所述复数个辅助阴极层设置于所述复数个隔墙之上;
复数个阳极层,所述复数个阳极层设置于所述薄膜电晶体电路层之上并位于所述复数个隔墙之间;
复数个有机发光器件层,所述复数个有机发光器件层设置于所述复数个阳极层之上且位于所述复数个隔墙之间;
电子传输层,所述电子传输层设置于所述复数个辅助阴极层以及所述复数个有机发光器件层之上并覆盖所述复数个辅助阴极层、所述复数个有机发光器件层和所述复数个隔墙;以及
阴极层,所述阴极层设置于所述电子传输层之上并覆盖所述电子传输层。
2.根据权利要求1所述的有机发光二极体器件,其中,所述复数个辅助阴极层为使用纳米银所制作的复数条纳米银线。
3.根据权利要求2所述的有机发光二极体器件,其中,所述复数条纳米银线的宽度不大于35μm。
4.根据权利要求1所述的有机发光二极体器件,其中,所述复数个隔墙的材料包括疏水性树酯。
5.根据权利要求1所述的有机发光二极体器件,其中,所述复数个有机发光器件层还包括空穴注入层、空穴传输层以及有机发光层。
6.一种有机发光二极体器件的制作方法,包括以下步骤:
S1:提供衬底,制作薄膜电晶体电路层在所述衬底之上,制作复数个隔墙在所述薄膜电晶体电路层之上,所述复数个隔墙彼此间隔;
S2:制作复数个辅助阴极层在所述复数个隔墙之上;
S3:制作复数个阳极层在所述薄膜电晶体电路层之上和所述复数个隔墙之间,制作复数个有机发光器件层在所述复数个阳极层之上和所述复数个隔墙之间;
S4:制作电子传输层在所述复数个辅助阴极层和所述复数个有机发光器件层之上,所述电子传输层覆盖所述复数个辅助阴极层、所述复数个有机发光器件层和所述复数个隔墙;以及
S5:制作阴极层在所述电子传输层之上,所述阴极层覆盖所述电子传输层。
7.根据权利要求6所述的有机发光二极体器件的制作方法,其中,所述复数个辅助阴极层为使用纳米银所制作的复数条纳米银线。
8.根据权利要求7所述的有机发光二极体器件的制作方法,其中,所述复数条纳米银线的宽度不大于35μm。
9.根据权利要求7所述的有机发光二极体器件的制作方法,其中,所述复数个辅助阴极层的制作方式包括:在所述复数个隔墙上每隔一定距离滴下所述纳米银,所述一定距离为25~35μm,并在温度范围90~150℃的环境下烘烤所述纳米银30~60分钟,形成所述复数条纳米银线。
10.根据权利要求6所述的有机发光二级体器件的制作方法,其中,所述复数个隔墙的材料包括疏水性树酯。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市华星光电半导体显示技术有限公司,未经深圳市华星光电半导体显示技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201911045138.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择