[发明专利]一种电压倍增电路有效

专利信息
申请号: 201911044897.7 申请日: 2019-10-30
公开(公告)号: CN110912401B 公开(公告)日: 2021-05-28
发明(设计)人: 唐重林;方刘禄;朱敏 申请(专利权)人: 芯创智(北京)微电子有限公司
主分类号: H02M3/07 分类号: H02M3/07
代理公司: 北京天悦专利代理事务所(普通合伙) 11311 代理人: 田明;文永明
地址: 100176 北京市大兴区北京经济*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 电压 倍增 电路
【权利要求书】:

1.一种电压倍增电路,其特征在于:所述电路包括时钟升压电路和2倍压电荷泵电路,所述的时钟升压电路的输入为两相不交叠时钟clk和clkn,输出为两对非交叠时钟ph1和ph1n,ph2和ph2n;所述的2倍压电荷泵电路采用两路互补结构,2倍压电荷泵电路的输入为电源电压Vin和时钟升压电路输出的两对非交叠时钟ph1和ph1n,ph2和ph2n;

所述的时钟升压电路由MP1,MP2,MN1,MN2,MN3,MN4,C1和C2组成,其中,所述的MP1,MP2为PMOS管;所述的MN1,MN2,MN3,MN4为NMOS管;所述的C1,C2为电容;

所述的MP1的栅极与输入信号clk和MN1的栅极连接;MP1的源极与电源Vin连接;MP1的漏极与MN1的漏极、C1的一端及输出ph1n连接;MN1的栅极与输入信号clk和MP1的栅极连接;MN1的源极和地连接;MN1的漏极与MP1的漏极、C1的一端及输出ph1n连接;MP2的栅极与输入信号clkn和MN2的栅极连接;MP2的源极与电源Vin连接;MP2的漏极与MN2的漏极、C2的一端及输出ph1连接;MN2的栅极与输入信号clk和MP2的栅极连接;MN2的源极和地连接;MN2的漏极与MP2的漏极、C2的一端及输出ph1连接;MN3的栅极与MN4的漏极、C2的另一端及输出ph2连接;MN3的源极与电源Vin连接;MN3的漏极与MN4的栅极、C1的另一端及输出ph2n连接;MN4的栅极与MN3的漏极、C1的另一端及输出ph2n连接;MN4的源极与电源Vin连接;MN4的漏极与MN3的栅极、C2的另一端及输出ph2连接;C1的一端与MP1的漏极、MN1的漏极及输出ph1n连接,C1的另一端与MN3的漏极、MN4的栅极及输出ph2n连接;C2的一端与MP2的漏极、MN2的漏极及输出ph1连接,C2的另一端与MN3的栅极、MN4的漏极及输出ph2连接。

2.根据权利要求1所述的一种电压倍增电路,其特征在于:所述的非交叠时钟ph1和ph1n的高低电压范围为0到Vin;所述的非交叠时钟ph2和ph2n的高低电压范围为Vin到2Vin-Vth,所述的Vth表示NMOS管的阈值电压。

3.根据权利要求1所述的一种电压倍增电路,其特征在于:所述的2倍压电荷泵电路由MP3,MP4,MP5,MP6,MN5,MN6,MN7,MN8,C3,C4和C5组成;其中,所述的MP3,MP4,MP5和MP6为PMOS管;所述的MN5,MN6,MN7和MN8为NMOS管;所述的C3,C4和C5为电容。

4.根据权利要求3所述的一种电压倍增电路,其特征在于:所述的MP3的栅极与MN5的栅极和ph1输出连接;MP3的源极与电源Vin连接;MP3的漏极与MN5的漏极、电容C3的一端及节点X2连接;MN5的栅极与MP3的栅极和输出ph1连接;MN5的源极与地连接;MN5的漏极与MP3的漏极、电容C3的一端及节点X2连接;MP4的栅极与MN6的栅极和ph1n输出连接;MP4的源极与电源Vin连接;MP4的漏极与MN6的漏极、电容C4的一端及节点X1连接;MN6的栅极与MP4的栅极和输出ph1n连接;MN6的源极与地连接;MN6的漏极与MP4的漏极、电容C4的一端及节点X1连接;MN7的栅极与MP5的栅极及输出ph2连接;MN7的源极与MP5的源极、电容C3的另一端及节点X4连接;MN7的漏极与电源Vin连接;MP5的栅极与MN7的栅极和输出ph2连接;MP5的源极与MN7的源极、电容C3的另一端及节点X4连接;MP5的漏极与MP6的漏极、电容C5的一端及节点Vpump连接;MN8的栅极与MP6的栅极及输出ph2n连接;MN8的源极与MP6的源极、电容C4的另一端及节点X3连接;MN8的漏极与电源Vin连接;MP6的栅极与MN8的栅极和输出ph2n连接;MP6的源极与MN8的源极、电容C4的另一端及节点X3连接;MP6的漏极与MP5的漏极、电容C5的一端及节点Vpump连接;电容C3的一端与节点X2,MP3的漏极及MN5的漏极连接;电容C3的另一端与节点X4、MN7的源极及MP5的源极连接;电容C4的一端与节点X1、MP4的漏极及MN6的漏极连接;电容C4的另一端与节点X3、MN8的源极及MP6的源极连接;电容C5的一端与节点Vpump、MP5的漏极及MP6的漏极连接;电容C5的另一端与地连接。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于芯创智(北京)微电子有限公司,未经芯创智(北京)微电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201911044897.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top