[发明专利]光电转换膜、光电转换元件和电子设备在审
| 申请号: | 201911044857.2 | 申请日: | 2015-04-08 |
| 公开(公告)号: | CN111029464A | 公开(公告)日: | 2020-04-17 |
| 发明(设计)人: | 尾花良哲;根岸佑树;长谷川雄大;竹村一郎;榎修;茂木英昭;松泽伸行 | 申请(专利权)人: | 索尼半导体解决方案公司 |
| 主分类号: | H01L51/42 | 分类号: | H01L51/42;H01L51/46;H01L27/30 |
| 代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 王新春;曹正建 |
| 地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 光电 转换 元件 电子设备 | ||
1.一种光电转换膜,其包含:
不吸收可见光且由通式(3)和通式(4)中的至少一个表示的透明化合物:
[化学式3]
其中,在通式(3)中,R21~R32每一个独立地选自氢、卤素、羟基、烷氧基、氰基、硝基、甲硅烷基、甲硅烷氧基、芳基甲硅烷基、硫代烷基、硫代芳基、磺酰基、芳基磺酰基、烷基磺酰基、氨基、烷氨基、芳氨基、酰基、酰氨基、酰氧基、羧基、甲酰氨基、烷氧羰基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的环烷基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的杂芳基和通过使R21~R32中的彼此相邻的至少两个缩合而形成的芳基或杂芳基,和
其中,在通式(4)中,R41~R48每一个独立地选自氢、卤素、羟基、烷氧基、氰基、硝基、甲硅烷基、甲硅烷氧基、芳基甲硅烷基、硫代烷基、硫代芳基、磺酰基、芳基磺酰基、烷基磺酰基、氨基、烷氨基、芳氨基、酰基、酰氨基、酰氧基、酰亚氨基、羧基、甲酰氨基、烷氧羰基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的环烷基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的杂芳基和通过使R41~R48中的彼此相邻的至少两个缩合而形成的芳基或杂芳基,并且
其中,Ar1~Ar4每一个独立地是取代或未取代的芳基和取代或未取代的杂芳基中的一个。
2.根据权利要求1所述的光电转换膜,其中,所述透明化合物至少由通式(3)表示,并且通式(3)中的R21、R24、R25、R28、R29和R32均是氢。
3.根据权利要求1所述的光电转换膜,其中,所述透明化合物至少由通式(4)表示,并且通式(4)中的Ar1~Ar4和R41~R48中的至少一个是吸电子基团。
4.根据权利要求3所述的光电转换膜,其中,所述吸电子基团选自卤素、氰基、硝基、磺酰基、芳基磺酰基、烷基磺酰基、酰基、酰氨基、酰氧基、酰亚氨基、羧基、甲酰氨基、烷氧羰基、卤代烷基和卤代芳基。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的光电转换膜,其还包含:
有机染料化合物,其中所述有机染料化合物和由通式(3)和通式(4)中的至少一个表示的化合物形成本体异质膜。
6.根据权利要求5所述的光电转换膜,其中,所述有机染料化合物吸收波段大于或等于约450nm且小于或等于约600nm的绿色光。
7.根据权利要求5所述的光电转换膜,其中,所述有机染料化合物是由通式(1)表示的喹吖啶酮衍生物:
[化学式4]
其中,在通式(1)中,R1~R10每一个独立地选自氢、卤素、羟基、烷氧基、氰基、硝基、甲硅烷基、甲硅烷氧基、芳基甲硅烷基、硫代烷基、硫代芳基、磺酰基、芳基磺酰基、烷基磺酰基、氨基、烷氨基、芳氨基、酰基、酰氨基、酰氧基、羧基、甲酰氨基、烷氧羰基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的环烷基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的杂芳基和通过使R1~R10中的彼此相邻的至少两个缩合而形成的芳基或杂芳基。
8.根据权利要求7所述的光电转换膜,其中,通式(3)和通式(4)中的至少一个的LUMO能级比所述喹吖啶酮衍生物的LUMO能级深,并且通式(3)和通式(4)中的至少一个的LUMO能级与所述喹吖啶酮衍生物的LUMO能级之间的差大于或等于0.1eV且小于或等于1.0eV。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
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