[发明专利]电极结构、阵列基板及显示装置有效

专利信息
申请号: 201911043875.9 申请日: 2019-10-30
公开(公告)号: CN110618564B 公开(公告)日: 2022-06-24
发明(设计)人: 邵喜斌;曲莹莹;孙志华 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司
主分类号: G02F1/1343 分类号: G02F1/1343;G02F1/1337
代理公司: 北京律智知识产权代理有限公司 11438 代理人: 王辉;阚梓瑄
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 电极 结构 阵列 显示装置
【说明书】:

本申请涉及一种电极结构、阵列基板及显示装置。该电极结构具有在第一方向上间隔排布的多个镂空部及位于相邻镂空部之间的电极部;镂空部可具有第一镂空孔和第二镂空孔;在第一方向上相邻且相互平行的第一镂空孔在第一方向上得到的投影面完全重叠;在第一方向上相邻且相互平行的第二镂空孔在第一方向上得到的投影面完全重叠;电极部可包括位于在第一方向上相邻且相互平行的第一镂空孔之间的第一电极块,及位于在第一方向上相邻且相互平行的第二镂空孔之间的第二电极块;第一镂空孔的宽度及与其在第一方向上相邻第一电极块的宽度之和,不同于第二镂空孔的宽度及与其在第一方向上相邻第二电极块的宽度之和。本方案中可减小工艺波动及提高光透过率。

技术领域

本申请涉及显示技术领域,具体而言,涉及一种电极结构、阵列基板及显示装置。

背景技术

薄膜晶体管液晶显示装置(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display,简称:TFT-LCD)具有体积小、功耗低、无辐射等特点,近年来得到迅速发展。该薄膜晶体管液晶显示装置的显示原理为像素电极和公共电极之间形成电场,电场驱动液晶分子偏转实现图像的明暗显示,也就是说,像素电极、公共电极等电极结构会对薄膜晶体管液晶显示装置的光透过率产生影响。

需要说明的是,在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本申请的背景的理解,因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

发明内容

本申请的目的在于提供一种电极结构、阵列基板及显示装置,在保证工艺能力的同时,还可提高显示产品的光透过率。

本申请第一方面提供了一种电极结构,所述电极结构具有在第一方向上间隔排布的多个镂空部,相邻所述镂空部之间形成电极部;

所述镂空部至少具有多个第一镂空孔和多个第二镂空孔,每个所述镂空部中相邻所述第一镂空孔通过所述第二镂空孔连接;且在所述第一方向上相邻且相互平行的第一镂空孔在所述第一方向上得到的投影面完全重叠;在所述第一方向上相邻且相互平行的第二镂空孔在所述第一方向上得到的投影面完全重叠;

所述电极部至少包括第一电极块和第二电极块,所述第一电极块位于在所述第一方向上相邻且相互平行的第一镂空孔之间,所述第二电极块位于在所述第一方向上相邻且相互平行的第二镂空孔之间;

所述第一镂空孔的宽度及与其在第一方向上相邻的所述第一电极块的宽度之和,不同于所述第二镂空孔的宽度及与其在第一方向上相邻的所述第二电极块的宽度之和;

其中,所述宽度为在所述第一方向上的尺寸。

在本申请的一种示例性实施例中,每一所述镂空部中第一镂空孔的宽度和第二镂空孔的宽度不同;

每一所述电极部中第一电极块的宽度和第二电极块的宽度相同。

在本申请的一种示例性实施例中,相邻所述镂空部中一者的第一镂空孔的宽度等于另一者中第二镂空孔的宽度;所述一者的第二镂空孔的宽度等于所述另一者中第一镂空孔的宽度。

在本申请的一种示例性实施例中,每一所述镂空部中第一镂空孔的宽度和第二镂空孔的宽度相同;

每一所述电极部中第一电极块的宽度和第二电极块的宽度不同。

在本申请的一种示例性实施例中,相邻所述电极部中一者的第一电极块的宽度等于所述另一者中第二电极块的宽度;所述一者中第二电极块的宽度等于所述另一者中第一电极块的宽度。

在本申请的一种示例性实施例中,

每一所述镂空部中第一镂空孔的宽度大于第二镂空孔的宽度;

每一所述电极部中第一电极块的宽度大于第二电极块的宽度。

在本申请的一种示例性实施例中,

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