[发明专利]一种IGBT沟槽栅末端结构在审
| 申请号： | 201911043605.8 | 申请日： | 2019-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN111009578A | 公开（公告）日： | 2020-04-14 |
| 发明（设计）人： | 郑婷婷;李宇柱;李伟邦;骆健;董长城;叶枫叶;黄全全 | 申请（专利权）人： | 国电南瑞科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/08;H01L21/331 |
| 代理公司： | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人： | 董建林 |
| 地址： | 211106 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 igbt 沟槽 末端 结构 | ||
1.一种IGBT沟槽栅末端结构，其特征在于，包括：
衬底；
虚拟沟槽区，所述虚拟沟槽区设于所述衬底端面上，所述虚拟沟槽区包括两条以上相互平行的虚拟沟槽，且所述虚拟沟槽内填充有多晶硅；
多晶硅块，所述多晶硅块设于所述衬底端面上，用于并联所述虚拟沟槽区内的虚拟沟槽；
介质层，所述介质层覆设于所述衬底端面上，且所述多晶硅块位于所述衬底与所述介质层之间；
接触窗口，所述接触窗口贯穿所述介质层并延伸至所述多晶硅块上，所述接触窗口中填充有导体；
发射极金属层，所述发射极金属层覆设于所述介质层外表面，并通过接触窗口中的导体与所述多晶硅块接触相连。
2.根据权利要求1所述的一种IGBT沟槽栅末端结构，其特征在于，所述IGBT沟槽栅结构还包括：
有源沟槽区，所述有源沟槽区与虚拟沟槽区交替排列于所述衬底端面上，所述有源沟槽区包括至少一条有源沟槽，且所述有源沟槽与所述虚拟沟槽相互平行，所述有源沟槽内填充有多晶硅。
3.根据权利要求2所述的一种IGBT沟槽栅末端结构，其特征在于，所述有源沟槽以及虚拟沟槽内的多晶硅和衬底之间通过氧化层隔离。
4.根据权利要求1所述的一种IGBT沟槽栅末端结构，其特征在于，所述多晶硅块覆盖所述虚拟沟槽区的一段，并向所述虚拟沟槽区两侧水平延伸。
5.根据权利要求1所述的一种IGBT沟槽栅末端结构，其特征在于，所述接触窗口与所述多晶硅块端面的接触面积小于所述多晶硅块端面的面积。
6.根据权利要求2所述的一种IGBT沟槽栅末端结构，其特征在于，所述有源沟槽以及虚拟沟槽分别沿所述衬底的端面向所述衬底的侧壁延伸。
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