[发明专利]通过退火及相关方法减少半导体层和半导体器件的缺陷

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

半导体层，所述半导体层包括已经通过聚焦能量退火的氮化镓GaN层或铝GaN层；

漏极，所述漏极耦接到所述半导体层并且连接到第一电极；

源极，所述源极耦接到所述半导体层并且连接到相对于所述第一电极在所述半导体层的相对表面上的第二电极；

栅极，所述栅极耦接到所述半导体层的第一界面上的第二区；并且

其中源极区、漏极区和栅极区彼此隔离，并且提供晶体管器件结构和操作。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，包括支撑衬底，所述支撑衬底支撑所述半导体层，其中所述源极位于该衬底和GaN的背侧之间。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述半导体层的厚度为0.1至20μm厚，以允许从几伏到几千伏的击穿电压。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述半导体层包含铝GaN，并且铝百分比介于5％和50％之间。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述半导体层包含退火的GaN。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中所述半导体层包含退火的GaN，并且还包含未退火的GaN。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述半导体层包含氮化镓GaN、铝GaN、碳化硅、砷化镓、金刚石、氧化镓或它们的任何组合。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中所述半导体层包括附加层，所述附加层包含氮化铝AlN、氮化硅、氧化硅或它们的任何组合。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述半导体层包括铝GaN(AlGaN)层，并且其中铝占AlGaN层的5％至50％。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述半导体层用激光器进行退火。