[发明专利]硫化氢修饰的骨髓间充质干细胞外囊泡在缺氧缺血性脑损伤中的应用

说明书

本发明提供硫化氢修饰的骨髓间充质干细胞外囊泡在缺氧缺血性脑损伤中的应用，属于分子诊断和分子生物学技术领域。本发明通过研究发现采用H₂S预处理MSCs胞外囊泡(H₂S‑EVs)可有效提高其在缺氧缺血性脑损伤(HIBD)中的疗效，具体的，H₂S‑EVs能够有效减轻缺氧缺血性脑损害诱导的脑水肿；减轻缺氧缺血性脑损害诱导的脑梗死；抑制促炎因子表达；促进抑炎因子的表达；促使原驻小胶质细胞和浸润的巨噬细胞向M2表型的极化；改善缺氧缺血性脑损害的远期学习和记忆功能。因此具有良好的实际应用之价值。

技术领域

本发明属于分子诊断和分子生物学技术领域，具体涉及硫化氢修饰的骨髓间充质干细胞外囊泡在缺氧缺血性脑损伤中的应用。

背景技术

公开该背景技术部分的信息仅仅旨在增加对本发明的总体背景的理解，而不必然被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已经成为本领域一般技术人员所公知的现有技术。

伴随着二胎政策的实施，迎来了一个新的生产高峰，然而高龄孕妇易发新生儿缺氧缺血性脑病(hypoxic-ischemic encephalopathy,HIE)的高危因素将是人们面临的重要问题。HIE指围产期窒息导致的缺氧缺血性脑损害(hypoxic-ischemic brain damage,HIBD)，是临床上引起新生儿死亡以及幸存者长期神经功能缺陷的常见疾病，给社会和家庭带来沉重负担。目前临床上针对该病的治疗主要是营养支持、对症治疗，然而疗效并不理想。因此，寻找更为有效的治疗方法和靶点成为当前迫切需要解决的问题。

目前，骨髓间充质干细胞(Mesenchymal stem cells,MSCs)来源的细胞外囊泡(Extracellular vesicles，EVs)被广泛认为是MSCs发挥其作用的重要方式，基于细胞外囊泡的替代干细胞治疗疾病的方法具有很大潜力，为细胞外囊泡的应用提供了新思路。细胞外囊泡(EVs)是由各种细胞分泌的小的细胞外囊泡，具有类似于细胞膜的双层膜结构，能够与靶细胞进行融合。外泌体直径大约在30至150nm之间，其内含有多种具有生物活性公功能的物质，如：蛋白质、脂质、mRNA、微小RNA(microRNA,miRNA)和长链非编码RNA等，能够对靶细胞的功能和信号进行调控。

发明内容

针对现有技术的不足，本发明提供硫化氢修饰的骨髓间充质干细胞外囊泡在缺氧缺血性脑损伤中的应用。本发明通过研究发现采用H₂S预处理MSCs胞外囊泡(H₂S-EVs)可有效提高其在缺氧缺血性脑损伤(HIBD)中的疗效，从而完成本发明。

为实现上述技术目的，本发明采用的技术方案如下：

本发明的第一个方面，提供EVs在制备预防/或治疗缺氧缺血性脑损伤(HIBD)产品中的应用。

其中，所述EVs为骨髓间充质干细胞来源的细胞外囊泡；

所述细胞外囊泡直径为40-100nm；

更进一步的，所述EVs为硫化氢修饰的骨髓间充质干细胞来源的细胞外囊泡。与普通EVs相比，硫化氢修饰的骨髓间充质干细胞来源的细胞外囊泡(H₂S-EVs)在缺氧缺血性脑损伤治疗上效果更佳。

所述H₂S-EVs制备方法包括：将硫氢化钠(NaHS)加入骨髓间充质干细胞培养基中孵育，收集骨髓间充质干细胞分泌的细胞外囊泡即得。

本发明的第二个方面，提供一种产品，所述产品活性成分包括EVs；所述产品具有预防/或治疗缺氧缺血性脑损伤的作用，更具体的，其具有如下任意一种或多种用途：

(a)减轻缺氧缺血性脑损害诱导的脑水肿；

(b)减轻缺氧缺血性脑损害诱导的脑梗死；