[发明专利]一种压电晶体喷油器驱动电路在审

专利信息
申请号: 201911037135.4 申请日: 2019-10-29
公开(公告)号: CN112746920A 公开(公告)日: 2021-05-04
发明(设计)人: 杨洋 申请(专利权)人: 卓品智能科技无锡有限公司
主分类号: F02M51/06 分类号: F02M51/06;F02D41/20
代理公司: 无锡市朗高知识产权代理有限公司 32262 代理人: 贾传美;赵华
地址: 214000 江苏省无锡市新*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 压电 晶体 喷油器 驱动 电路
【说明书】:

本发明提供一种压电晶体喷油器驱动电路,在MC33816的基础上,使用IRS2101提高MC33816的最高驱动电压能力,同时利用MC33816本身自带的硬件电流闭环/故障防护等功能,实现压电晶体喷油器的驱动;还在压电晶体充放电回路中串联一个电感L,由于电感的储能作用,充放电过程中能量可通过电感转移到电容,降低了电流变化速率,电流变化速率降低时,电流控制精度相应提高,MOS控制频率降低,提高了电路可靠性。

技术领域

本发明主要涉及压电晶体喷油器驱动电路领域,尤其涉及压电晶体喷油器驱动电路。

背景技术

随着排放法规越来越严格,不断提高喷射压力已成为柴油机喷射控制必不可少的手段,当前,柴油机供油系统所需的喷射峰值压力已由500Pa提高到1600Pa,共轨系统已经达到2000Pa。

常用的共轨系统有电磁式和压电式两种,压电式共轨系统由于响应时间短,驱动压力大和对燃油喷射量的精确控制优于电磁式共轨系统,在近年来得到迅猛发展,具有较好的发展前景。

压电晶体等效为固定容值的电容,电容充放电速度非常快,容易产生瞬间的大电流,当前主流方案使用预驱芯片实现压电晶体喷油器驱动,压电晶体充电电流精度控制不高,电流变化速率快,MOS驱动频率过高,容易产生过流,驱动电路长时间工作容易导致MOS损坏;驱动电路功能不完善,需要单片机软件完成电流闭环,响应时间长,单片机负荷高;驱动电路驱动能力低,无法实现高电压电路驱动。

发明内容

本发明提供一种压电晶体喷油器驱动电路,实现压电晶体喷油器的驱动控制,包括:压电晶体充电电路,所述压电晶体充电电路包括:预驱芯片、升压预驱芯片、MOS管Q1、MOS管Q2、压电晶体等效负载C和采样电阻R1,预驱芯片I/O接口接单片机,预驱芯片的输出口接MOS管Q2的G极,预驱芯片输出口与升压预驱芯片连接,实现升压,升压预驱芯片输出口接MOS管Q1的G极,MOS管Q1的S极信号接入压电晶体等效负载C,压电晶体等效负载C的另一端接MOS管Q2的D极,MOS管Q2的S极接采样电阻R1,采样电阻R1的另一端接地,采样电阻R1的两端还经过导线接入预驱芯片的输入口。

优选的,MOS管Q1为高边驱动MOS管,接入升压预驱芯片的输出端,MOS管Q1的S极经过电感L后接压电晶体等效负载C。

优选的,MOS管Q2为低边驱动MOS管,接入预驱芯片的输出端。

优选的,升压预驱芯片采用IRS2101,预驱芯片采用MC33816。

优选的,还包括压电晶体放电电路,所述压电晶体放电电路包括:预驱芯片、MOS管Q3、MOS管Q2、压电晶体等效负载C和采样电阻R2,预驱芯片I/O接口接单片机,预驱芯片的输出口接MOS管Q3的G极、MOS管Q2的G极,MOS管Q3的S极接采样电阻R2,采样电阻R2的两端还经过导线接入预驱芯片的输入口;MOS管Q3的D极信号接入压电晶体等效负载C,压电晶体等效负载C的另一端接MOS管Q2的D极,MOS管Q2的S极接地。

优选的,MOS管Q3为低边驱动MOS管,接入预驱芯片的输出端,MOS管Q3的S极经过电感L后接压电晶体等效负载C。

优选的,MOS管Q2为低边驱动MOS管,G极接入预驱芯片的输出端。

专利提出的一种压电晶体驱动电路,驱动电路以NXP芯片MC33816为基础,对电路进行改进,使其实现压电晶体喷油器驱动控制,NXP芯片MC33816为一颗预驱芯片,主要用于柴油喷嘴驱动,芯片具备电流硬件闭环,电流控制精度高,同时具备故障防护诊断功能,但该芯片最大驱动电压只能达到72V,压电晶体正常驱动电压为200V,无法实现压电晶体喷油器的驱动控制。

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