[发明专利]用于扩散气体的扩散器与使用扩散器的半导体制程系统有效
申请号: | 201911036415.3 | 申请日: | 2019-10-29 |
公开(公告)号: | CN111128794B | 公开(公告)日: | 2023-05-09 |
发明(设计)人: | 杨胜钧;林艺民;万昭宏 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;C23C16/455 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 中国台湾新竹市*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 扩散 气体 扩散器 使用 半导体 系统 | ||
用于扩散气体的扩散器包括基部和流体地耦合于基部的头部。头部包括扩散器元件,此扩散器元件配置以使气体的第一部分透过扩散器元件的圆周扩散,并且使气体的第二部分透过扩散器元件的端面扩散。头部还包括连接结构,此连接结构具有第一连接部分和第二连接部分,其中第一连接部分配置以接收扩散器元件的一部分于其内,而第二连接部分从第一连接部分向外凸出并且配置以耦合于基部。
技术领域
本揭露涉及一种用于扩散气体的扩散器及一种使用扩散器的半导体制程系统。
背景技术
半导体装置包括透过介电层彼此绝缘的金属线。随着集成电路的尺寸持续地缩小并且电路操作频率不断地增加,由电容耦合引起的信号延迟和紧密地间隔的金属线之间的干扰皆在增加。这些情况随着金属线变短以最小化传输延迟而更加恶化。为了解决这些情况,使用具有相对低介电常数(称为低k介电质)的绝缘材料代替二氧化硅(和具有相对高介电常数的其他材料)以形成分隔金属线的介电层。
发明内容
本揭露的实施方式提供一种用于扩散气体的扩散器。扩散器包括基部和流体地耦合于基部的头部。头部包括扩散器元件,此扩散器元件配置以使气体的第一部分透过扩散器元件的圆周扩散,并且使气体的第二部分透过扩散器元件的端面扩散。头部还包括连接结构,此连接结构具有第一连接部分和第二连接部分,第一连接部分配置以接收扩散器元件的一部分于其内,第二连接部分从第一连接部分向外凸出并且配置以连接到基部。
本揭露的实施方式提供一种半导体制程系统。此系统包括传送室,此传送室包括穿过传送室的壁的至少一个气体入口。此系统还包括连接到传送室的串联制程室。串联制程室包括第一制程室和第二制程室。此系统还包括扩散器,此扩散器用于装配到至少一个气体入口中并且凸出到传送室的内部。扩散器包括基部和流体地耦合于基部的头部。头部包括扩散器元件,此扩散器元件配置以将冲洗气体实质上均匀地扩散到传送室的内部。头部还包括连接结构,此连接结构包括第一连接部分和第二连接部分,第一连接部分配置以接收扩散器元件的一部分于其内,第二连接部分从第一连接部分向外凸出并且配置以连接到基部。
本揭露的实施方式提供一种半导体制程系统。此系统包括传送室,此传送室具有延伸穿过传送室的壁的多个气体入口。此系统还包括连接到传送室的多个制程室。此系统还包括扩散器,此扩散器用于装配到多个气体入口的相应的气体入口中。扩散器包括具有颈部的基部,与颈部流体地耦合的主体部分,以及与主体部分耦合的配合元件。扩散器还包括流体地耦合于基部的头部。头部包括扩散器元件,此扩散器元件配置以将冲洗气体实质上均匀地扩散到传送室的内部。头部还包括连接结构,此连接结构包括第一连接部分和第二连接部分,第一连接部分配置以接收扩散器元件的一部分于其内,第二连接部分从第一连接部分向外凸出并且配置以与配合元件配合。
附图说明
当结合附图阅读时,从以下详细描述中可以最好地理解本公开的各方面。应注意,根据工业中的标准实践,各种特征未按比例绘制。实际上,为了清楚地讨论,可以任意地增加或减少各种特征的尺寸。
图1是根据一些实施例中,半导体制程系统的平面图;
图2是根据一些实施例中,扩散器组件的透视图;
图3是图2的扩散器组件的分解图;
图4是根据一些实施例中,冲洗气体通过扩散器的速度与冲洗气体在狭缝阀门处的速度之间的关系图;
图5是根据一些实施例中,具有和不具有扩散器的各个串联制程室中的颗粒计数图;
图6是根据一些实施例中,控制传送室中的气流分布轮廓的方法的流程图;
图7是根据一个或多个实施例中,控制器系统的示意图。
【符号说明】
100:半导体制程系统
110:传送室
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造