[发明专利]一种高电压转换比的混合电源变换器有效
申请号: | 201911035823.7 | 申请日: | 2019-10-29 |
公开(公告)号: | CN110729888B | 公开(公告)日: | 2020-11-06 |
发明(设计)人: | 梁星 | 申请(专利权)人: | 上海南芯半导体科技有限公司 |
主分类号: | H02M3/07 | 分类号: | H02M3/07;H02M3/155;H02M3/158 |
代理公司: | 成都众恒智合专利代理事务所(普通合伙) 51239 | 代理人: | 王育信 |
地址: | 200120 上海市浦东新区中国*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 电压 转换 混合 电源 变换器 | ||
1.一种高电压转换比的混合电源变换器,其特征在于,包括漏极均与输入端VIN相连的MOS管Q1a、Q1b,两个正极分别与MOS管Q1a、Q1b的源极相连的电容CFLY1、CFLY2,两个漏极分别与电容CFLY1、CFLY2的负极相连的MOS管SRa、SRb,串联后一端与MOS管SRa的漏极相连且另一端与MOS管SRb的漏极相连的电感L1、L2,一端与电感L1、L2公共端相连且另一端接地的电容C1,一端与电感L1、L2公共端相连且另一端接地的电流源Io,两个漏极分别与MOS管Q1a、Q1b的源极相连的MOS管Q 2b、Q2a,一端分别与MOS管Q2b、Q2a的源极相连且另一端分别与MOS管SRa、SRb的源极相连若干级的依次叠加的开关电容支路;电感L1、L2、电容C1、电流源Io的公共端作为电源变换器的输出端 VOUT;
其中,第N级所述开关电容支路包括漏极分别对应与上一级MOS管Q(N-1)b的源极、Q(N-1)a的源极相连的MOS管QNa、QNb,正极分别 与MOS管QNb的漏极、QNa的漏极相连且负极分别与MOS管SRa、SRb相连的电容CFLY(2N-3)、CFLY(2N-2);其中,N为大于2的整数。
2.根据权利要求1所述的一种高电压转换比的混合电源变换器,其特征在于,所述MOS管Q1a、Q2a、…、Q(N-1)a、QNa、SRa、L1等效成A相buck变换器;所述Q1b、Q2b、…、Q(N-1)b、QNb、SRb、L2等效成B相buck变换器。
3.根据权利要求2所述的一种高电压转换比的混合电源变换器,其特征在于,所述A相和B相buck变换器的相位交错180度。
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