[发明专利]氧化镓材料表面缺陷修复方法在审
| 申请号： | 201911035749.9 | 申请日： | 2019-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN110752158A | 公开（公告）日： | 2020-02-04 |
| 发明（设计）人： | 龙世兵;熊文豪;徐光伟;向学强;赵晓龙 | 申请（专利权）人： | 中国科学技术大学 |
| 主分类号： | H01L21/467 | 分类号： | H01L21/467 |
| 代理公司： | 11021 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 程纾孟 |
| 地址： | 230026 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氧化镓 阴离子 氧空位缺陷 缺陷修复 界面态 引入 | ||
1.一种氧化镓材料表面缺陷修复方法，其特征在于，所述方法包括：
向所述氧化镓材料表面引入阴离子，使所述阴离子与镓结合，以减少所述氧化镓材料表面中的氧空位缺陷。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
所述阴离子选自氮离子、氯离子、氟离子或氧离子。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
通过等离子增强化学沉积法、反应离子刻蚀法或电感耦合等离子体引入所述阴离子。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
通过使所述氧化镓材料表面处于含氮气氛下，向所述氧化镓材料表面引入氮阴离子，
其中通过以NH3为工艺气体的等离子增强化学沉积法提供所述含氮气氛。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
通过使所述氧化镓材料表面处于含氯气氛下，向所述氧化镓材料表面引入氯阴离子，
其中通过以BCl3或Cl2为工艺气体的反应离子刻蚀法或电感耦合等离子体提供所述含氯气氛。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
通过使所述氧化镓材料表面处于含氟气氛下，向所述氧化镓材料表面引入氟阴离子，
其中通过以CF4为工艺气体的反应离子刻蚀法或电感耦合等离子体提供所述含氟气氛。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
通过使所述氧化镓材料表面处于含氧气氛下，向所述氧化镓材料表面引入氧阴离子，
其中通过以O2为工艺气体的反应离子刻蚀法或电感耦合等离子体提供所述含氧气氛。
8.一种刻蚀氧化镓材料的方法，其特征在于，所述方法包括：
在氧化镓材料表面形成光刻胶层；
对所述光刻胶层进行图案化，暴露一部分氧化镓材料的表面；
对所述氧化镓材料的所述暴露的表面进行刻蚀；
采用权利要求1-7中任一项所述的氧化镓材料表面缺陷修复方法，对刻蚀后的表面进行处理；以及
除去图案化的光刻胶层。
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