[发明专利]半导体封装件在审
| 申请号: | 201911035283.2 | 申请日: | 2019-10-29 |
| 公开(公告)号: | CN111933637A | 公开(公告)日: | 2020-11-13 |
| 发明(设计)人: | 李润泰;金亨俊;金汉 | 申请(专利权)人: | 三星电机株式会社 |
| 主分类号: | H01L25/18 | 分类号: | H01L25/18;H01L23/31;H01L21/56;H01L21/60;H01L23/485;H01L23/488 |
| 代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 张红;马金霞 |
| 地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 半导体 封装 | ||
本发明提供一种半导体封装件,所述半导体封装件包括第一半导体封装件和第二半导体封装件,所述第一半导体封装件包括:第一框架,具有第一贯穿部;第一半导体芯片,位于所述第一贯穿部中并具有其上设置有第一连接焊盘的第一表面、其上设置有第二连接焊盘的第二表面以及连接到所述第二连接焊盘的贯穿过孔;第一连接结构,位于所述第一表面上并包括第一重新分布层;以及背侧重新分布层,位于所述第二表面上,所述第二半导体封装件位于所述第一半导体封装件上并且包括:第二连接结构,包括第二重新分布层;第二框架,位于所述第二连接结构上并具有第二贯穿部;以及第二半导体芯片,位于所述第二贯穿部中并且具有其上设置有第三连接焊盘的第三表面。
本申请要求于2019年5月13日在韩国知识产权局提交的第10-2019-0055468号韩国专利申请的优先权的权益,所述韩国专利申请的公开内容通过引用被全部包含于此。
技术领域
本公开涉及一种半导体封装件,例如,涉及一种扇出型半导体封装件。
背景技术
随着近年来智能电子装置的发展,在智能电子装置中使用的组件的规格也已经提高。例如,应用处理器(AP)(智能电子装置的关键组件)的规格已经迅速提高。各种方法已经用于提高AP的性能,并且AP的功能分区是一种新近的方法。例如,当针对每个功能对AP的半导体芯片分区,然后设计并封装每个半导体芯片以针对其工艺和特征进行优化时,AP可以实现比传统的单个AP更高级的性能。然而,在这种情况下,需要高水平的封装方法。因此,需要一种可封装多个分区的半导体芯片以具有最佳的信号特性和电力特性的半导体封装结构。
发明内容
本公开的一方面可提供一种新型的半导体封装件,所述半导体封装件具有多个半导体芯片可被封装以具有最佳的信号特性和电力特性的结构。
根据本公开的一方面,可提供一种具有以下结构的半导体封装件:可在多个半导体芯片基于它们的规格而被划分为上封装件和下封装件之后设置多个半导体芯片,然后下封装件的半导体芯片通过贯穿下封装件的半导体芯片的贯穿过孔将电力传输到上封装件的半导体芯片。
根据本公开的一方面,一种半导体封装件可包括第一半导体封装件和第二半导体封装件,所述第一半导体封装件包括:第一框架,具有第一贯穿部;第一半导体芯片,设置在所述第一框架的所述第一贯穿部中并具有第一表面、第二表面和贯穿过孔,在所述第一表面上设置有第一连接焊盘,所述第二表面与所述第一表面相对并且在所述第二表面上设置有第二连接焊盘,并且所述贯穿过孔连接到所述第二连接焊盘;第一连接结构,设置在所述第一半导体芯片的所述第一表面上,并包括电连接到所述第一半导体芯片的所述第一连接焊盘的第一重新分布层;以及背侧重新分布层,设置在所述第一半导体芯片的所述第二表面上,并且电连接到所述第一半导体芯片的所述第二连接焊盘,所述第二半导体封装件设置在所述第一半导体封装件上并且包括:第二连接结构,包括电连接到所述第一重新分布层的第二重新分布层;第二框架,设置在所述第二连接结构上并具有第二贯穿部;以及第二半导体芯片,设置在所述第二框架的所述第二贯穿部中并且具有第三表面,在所述第三表面上设置有第三连接焊盘,所述第三连接焊盘电连接到所述第二重新分布层。
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