[发明专利]一种TFT阵列基板、其显示面板及其终端装置

说明书

本发明提供了一种TFT阵列基板其显示面板。其中所述TFT阵列基板包括衬底层，所述衬底层上设置有缓冲层，所述缓冲层上依次设置有源层(Active)、第一栅极绝缘层(GI1)、第一栅极层(GE1)、层间介质层(ILD)以及源漏极层(SD)。所述第一栅极绝缘层包括SiNx层，所述第一栅极层包括AL金属层。本发明提供了一种TFT阵列基板，其具有较为良好的自身弯折性能。

技术领域

本发明涉及用于平面显示面板技术领域，尤其是，其中涉及的一种TFT阵列基板、其显示面板，以及其可应用的终端装置。

背景技术

已知，随着显示技术的不断发展，平面显示技术已取代了CRT(Cathode Ray Tube)显示技术成为主流显示技术。

其中平面显示技术涉及的平面显示器最开始是液晶显示器(Liquid CrystalDisplay，LCD)，但随着显示技术的不断向前发展，业界又开发出了OLED Organic Light-Emitting Diode)型平面显示器。

而OLED显示器，由于其重量轻，自发光，广视角、驱动电压低、发光效率高功耗低、响应速度快等优点，应用范围越来越广泛。尤其是柔性OLED显示器，由于其所具有的可弯折易携带的特点，现已成为显示技术领域研究和开发的主要课题。

目前用作驱动OLED的TFT阵列基板，其上设置的薄膜晶体管(TFT)的栅极材料通常采用的是金属Mo材料，但是这种金属材料由于其自身的材料特性，使得其耐弯折特性较差，从而导致其在柔性显示装置中的应用受到了很大的限制。

如此，在柔性显示装置的研发过程中，选择合适的薄膜晶体管的栅极材料，并相应的开发结构合理的薄膜晶体管器件及其相关制程，已成为业界现在研究的重要课题。

因此，确有必要来开发一种新型的TFT阵列基板，来克服现有技术中的缺陷。

发明内容

本发明的一个方面是提供一种TFT阵列基板，其具有较为良好的自身弯折性能。

本发明采用的技术方案如下：

一种TFT阵列基板，其包括衬底层。所述衬底层上设置有缓冲层，所述缓冲层上依次设置有源层(Active)、栅极绝缘层(GI)、栅极层(GE)、层间介质层(ILD)以及源漏极层(SD)。其中所述第一栅极绝缘层包括SiNx层，所述第一栅极层包括AL金属层。

进一步的，在不同实施方式中，其中所述第一栅极绝缘层为采用SiOx/SiNx双层材料构成的双叠层结构。

进一步的，在不同实施方式中，其中所述第一栅极层为Ti/Al/Ti三叠层结构、Al/Ti双叠层结构、AL合金单层结构、AL合金/TiNx双叠层结构中任一种结构。

进一步的，在不同实施方式中，其中所述TFT阵列基板还包括：

第二栅极绝缘层，设置在所述第一栅极层上；

第二栅极层，设置在所述第二栅极绝缘层上；

所述层间介质层设置在所述第二栅极层上。

进一步的，在不同实施方式中，其中所述第二栅极绝缘层为采用SiOx/SiNx双层材料构成的双叠层结构。

进一步的，在不同实施方式中，其中所述第二栅极层为Ti/Al/Ti三叠层结构、Al/Ti双叠层结构、AL合金单层结构、AL合金/TiNx双叠层结构中任一种结构。

进一步的，在不同实施方式中，其中所述层间介质层上还依次设置有平坦层(PLN)、阳极(ANO)和像素定义层(PDL)。

进一步的，在不同实施方式中，其中所述像素定义层上还设置有支撑柱(PS)。