[发明专利]基于变频温区极值阻抗的主动式Delta温区电阻的使用方法

权利要求书

1.一种基于变频温区极值阻抗的主动式Delta温区电阻的使用方法，其特征在于：主动式Delta温区电阻所使用的敏感材料主要包括具有d-电子轨道电子的过渡族金属氧化物强关联材料以及处于热力学亚稳定相或非平衡态下的半导体材料；该电阻对于不同频率的交流电信号呈现不同的实部阻值，且对于固定频率的交变电信号该实部电阻值随温度的增加呈现先增加后减小的趋势并在一定温度区间内呈现出极大值，而实现极值实部电阻的温区范围能够通过改变输入交变电信号的频率加以调节控制；所述主动式Delta温区电阻在应用中的主要构思在于，通过施加具有一定可调频率的交变电信号，利用频率大小调节出现极大值实部电阻的温度范围，从而进一步实现对电子器件、电路工作温度的可调节式主动锁定，以及对目标温区的探测与传感电路智能化控制设计方面的应用。

2.如权利要求1所述基于变频温区极值阻抗的主动式Delta温区电阻的使用方法，其特征在于所述的敏感材料为亚稳相稀土镍基钙钛矿氧化物ReNiO₃；掺杂二氧化钒；稀土铜铁基钙钛矿化合物Re_xCu_1-xFeO₃，0x1；钙铁氧钙钛矿氧化物(CaFeO₃)。

3.如权利要求2所述基于变频温区极值阻抗的主动式Delta温区电阻的使用方法，其特征在于所述亚稳相稀土镍基钙钛矿氧化物的化学组成为ReNiO₃：Re位为稀土元素以及具有正三价的类稀土元素的单一元素或多元素组合；Ni位为镍元素，所述Re位为钐、钇、铕、镝、铥、钆、钬、镱、铽；以及钐铺：Re＝Sm_xPr_1-x，0x1；铕钐：Re＝Sm_xPr_1-x，0x1；铕钕：Re＝Eu_xNd_1-x，0x1；铕铺：Re＝Eu_xPr_1-x，0x1。

4.如权利要求2所述基于变频温区极值阻抗的主动式Delta温区电阻的使用方法，其特征在于通过稀土镍基钙钛矿化合物钙钛矿结构中Re位原子位的稀土元素比例、材料应力状态、应力加载取向手段，能实现对其电阻实部极大值出现的温区中心温度、温区宽度、极值中心温度电阻相对于临近温区的阻值变化电学性能随输入交变电信号频率的调制关系。

5.如权利要求2所述基于变频温区极值阻抗的主动式Delta温区电阻的使用方法，其特征在于所述掺杂二氧化钒包括二氧化钒本征材料以及利用过渡族元素取代VO₂中的钒所在晶格位置所获得化合物，所述掺杂元素选择钨，通过控制掺杂二氧化钒中掺杂量、应力加载取向手段，能实现对其电阻实部极大值出现的温区中心温度、温区宽度、极值中心温度电阻相对于临近温区的阻值变化电学性能随输入交变电信号频率的调制关系。

6.如权利要求2所述基于变频温区极值阻抗的主动式Delta温区电阻的使用方法，其特征在于所述稀土铜铁基钙钛矿化合物具有钙钛矿晶体结构，其化学式为：Re_xCu_1-xFeO₃，0x1；Re包括镧、钐、钇、铕、镝、铥、钆、钬、镱、铽，通过控制稀土元素种类以及其与铜元素的相对比例、应力加载取向手段，能实现对其电阻实部极大值出现的温区中心温度、温区宽度、极值中心温度电阻相对于临近温区的阻值变化电学性能随输入交变电信号频率的调制关系。

7.如权利要求1或2所述基于变频温区极值阻抗的主动式Delta温区电阻的使用方法，其特征在于所述敏感材料的电阻率在一段设定的温度区间内明显高于其之外两端范围1-5个数量级，从而呈现电阻率随温度的Delta变化，将所述电阻率率随温度的Delta变化应用于电路设计，通过输入交变信号的频率控制该电阻与其它电子器件的并联分流或串联分压效应，实现对特定温度区间范围的器件功能锁定、温区探测与传感、电路保护、涌浪电流抑制电路智能化控制设计。