[发明专利]具有可编程峰值增益的低电源线性均衡器

权利要求书

1.一种线性均衡系统，其特征在于，包括线性均衡器和直流偏置发生器，所述线性均衡器包括：

两对输入端，被配置为接收各自具有直流分量的第一输入信号和第二输入信号；

晶体管组，连接在两对输入端子和一对输出端之间，其中晶体管组中的晶体管的栅极端或基极端连接在一起并连接到各自的两对输入端中的一个；

晶体管组中的第一晶体管组的发射极或源极接地，并且晶体管组中的第二晶体管组的集电极或漏极端连接到一对输出端中的一个输出端；电阻器，所述电阻器连接到电源电压、所述至少一个输出端和所述晶体管组；以及

第一阻抗元件和第二阻抗元件，所述第一阻抗元件和所述第二阻抗元件连接在所述晶体管组的发射极端或源极端与至少一个固定电压之间；

线性均衡器被配置为具有峰值增益，该峰值增益可通过调节直流分量来编程，

并且其中直流偏置发生器被配置为产生至少一个输入信号的直流分量，直流偏置发生器包括多个可调电流源，可调电流源的电流电平可调整以改变第一输入信号和第二输入信号的直流分量。

2.根据权利要求1所述的线性均衡系统，其特征在于，所述晶体管组中的每个晶体管组具有相同的跨导，并且其中每个晶体管组中的晶体管的栅极端或基极端连接在一起。

3.根据权利要求1所述的线性均衡系统，其特征在于，所述晶体管组中的每个晶体管是双极结型晶体管(BJT)，并且其中所述第一阻抗元件和所述第二阻抗元件连接在所述晶体管组的所述发射极端与所述至少一个固定电压之间。

4.根据权利要求3所述的线性均衡系统，其特征在于，所述至少一个输入信号施加到所述晶体管组的基极端。

5.根据权利要求1所述的线性均衡系统，其特征在于，所述晶体管组中的每个晶体管是场效应晶体管(FET)，并且其中所述第一阻抗元件和所述第二阻抗元件连接在所述晶体管组的所述源极端与所述至少一个固定电压之间。

6.根据权利要求1所述的线性均衡系统，其特征在于，所述第一阻抗元件包括第二电阻器，并且其中所述第二阻抗元件包括第三电阻器、电感器和电容器。

7.一种线性均衡器系统，其特征在于，所述线性均衡器系统包括根据权利要求1所述的线性均衡器和被配置成生成所述至少一个输入信号的所述DC分量的DC偏置发生器。

8.一种线性均衡器，其特征在于，所述线性均衡器包括：

第一晶体管组和第二晶体管组，所述第一晶体管组和所述第二晶体管组连接在所述线性均衡器的两个输入端与所述线性均衡器的输出端之间，其中所述第一晶体管组具有第一跨导，并且其中所述第二晶体管组具有第二跨导；

电阻器，所述电阻器连接到电源电压、所述输出端以及所述第一晶体管组和所述第二晶体管组；以及

第一阻抗元件和第二阻抗元件，所述第一阻抗元件和所述第二阻抗元件连接在所述第一晶体管组和所述第二晶体管组的发射极端或源极端与至少一个固定电压之间，其中通过调整在所述两个输入端处接收并且施加到所述第一晶体管组和所述第二晶体管组的输入信号的直流(DC)分量，能够对所述线性均衡器的峰值增益进行编程。

9.一种线性均衡器系统，其特征在于，所述线性均衡器系统包括根据权利要求8所述的线性均衡器和DC偏置发生器，所述DC偏置发生器包括多个可调电流源，调整所述多个可调电流源的电流电平以改变所述至少一个输入信号的所述DC分量。

10.一种差分线性均衡器，其特征在于，所述差分线性均衡器包括：

第一晶体管组、第二晶体管组、第三晶体管组和第四晶体管组，所述第一晶体管组、所述第二晶体管组、所述第三晶体管组和所述第四晶体管组连接在所述差分线性均衡器的四个输入端与所述差分线性均衡器的两个输出端之间，其中所述第一晶体管组和所述第三晶体管组具有第一跨导，并且其中所述第二晶体管组和所述第四晶体管组具有第二跨导；

两个电阻器，所述两个电阻器连接到电源电压、所述两个输出端以及所述第一晶体管组、所述第二晶体管组、所述第三晶体管组和所述第四晶体管组；以及

第一阻抗元件和第二阻抗元件，所述第一阻抗元件和所述第二阻抗元件连接在所述第一晶体管组、所述第二晶体管组、所述第三晶体管组和所述第四晶体管组的发射极端或源极端与至少一个固定电压之间，其中通过调整在第四输入端处接收并且施加到所述第一晶体管组、所述第二晶体管组、所述第三晶体管组和所述第四晶体管组的两个输入信号的直流(DC)分量，能够对所述差分线性均衡器的峰值增益进行编程。