[发明专利]连接结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201911029904.6 | 申请日： | 2019-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN111106087B | 公开（公告）日： | 2022-03-18 |
| 发明（设计）人： | 吴佳芸;邱玉玲;刘慈祥 | 申请（专利权）人： | 立积电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司： | 上海市锦天城律师事务所 31273 | 代理人： | 刘民选;陆少凡 |
| 地址： | 中国台湾台北市内湖区*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 连接 结构 及其 形成 方法 | ||
1.一种形成连接结构的方法，其特征在于，包含：
提供一半导体结构，其具有一第一接垫和一凸块，分别位于所述半导体结构的一底面上；
提供一载板，在其上表面具有一第二接垫，其中所述第二接垫对应于所述凸块；
于所述载板的所述第二接垫上设置一环氧结构部，其中所述环氧结构部的一直径小于或等于所述凸块的一直径；以及
于设置所述环氧结构部后，经由所述环氧结构部将所述凸块附接至所述第二接垫；其中，
另包含：将所述凸块附接至所述第二接垫后，以加热方式固化所述环氧结构部；
所述环氧结构部在以下条件下固化：将温度于60分钟内升至150℃，并在150℃下固化60分钟。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，其中所述环氧结构部是导电的。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，其中所述环氧结构部包含银和环氧树脂。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，其中将所述凸块附接至所述第二接垫前，所述环氧结构部在室温下的黏度小于12000cps。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，其中将所述凸块附接至所述第二接垫前，所述环氧结构部在室温下的黏度大于8000cps。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，其中所述环氧结构部的电阻率小于5x10-5Ω·cm。
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，其中将所述凸块附接至所述第二接垫后，所述环氧结构部的直径小于所述凸块的直径。
8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，其中将所述凸块附接至所述第二接垫前，所述环氧结构部的厚度介于0.03mm至0.07mm之间。
9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，其中将所述凸块附接至所述第二接垫后，所述半导体结构的所述底面与所述载板的所述上表面之间的高度大于10μm。
10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，其中所述环氧结构部是通过钢板印刷设置在所述第二接垫上。
11.如权利要求1所述的方法，其特征在于，其中所述半导体结构包含一晶圆或一声表面波芯片。
12.如权利要求1所述的方法，其特征在于，其中所述凸块为金凸块。
13.如权利要求1所述的方法，其特征在于，其中所述第二接垫是金属垫，包括金、铜、铝、钛、氮化钛、银或其任意组合。
14.如权利要求1所述的方法，其特征在于，其中所述载板包含高温共烧结陶瓷基板、低温共烧结陶瓷基板、硅基板或印刷电路板。
15.如权利要求1所述的方法，其特征在于，其中另包含：
将一干膜层压到所述半导体结构和所述载板的所述上表面上。
16.如权利要求15所述的方法，其特征在于，其中所述干膜为一环氧树脂膜。
17.如权利要求15所述的方法，其特征在于，其中所述干膜延伸到所述半导体结构的所述底面和所述载板的所述上表面之间的一间隙中。
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