[发明专利]活性物质、电池和活性物质的制造方法

权利要求书

1.一种活性物质，具有一次粒子，所述一次粒子包含I型硅包合物和II型硅包合物中的至少一种晶相，并且

在所述一次粒子的内部以4％以上且40％以下的孔隙率具有通过扫描型电子显微镜观察到的孔隙。

2.根据权利要求1所述的活性物质，

在使用CuKα射线的X射线衍射测定中，所述I型硅包合物的晶相在2θ＝19.44°±1.00°、21.32°±1.00°、30.33°±1.00°、31.60°±1.00°、32.82°±1.00°、36.29±1.00°、52.39±1.00°、55.49±1.00°的位置具有峰。

3.根据权利要求1或2所述的活性物质，

在使用CuKα射线的X射线衍射测定中，所述II型硅包合物的晶相在2θ＝20.09°±1.00°、21.00°±1.00°、26.51°±1.00°、31.72°±1.00°、36.26°±1.00°、53.01°±1.00°的位置具有峰。

4.根据权利要求1或2所述的活性物质，所述活性物质具有I型硅包合物的晶相作为主相。

5.根据权利要求1或2所述的活性物质，所述活性物质的平均一次粒径为50～1000nm，所述活性物质的平均二次粒径为1～60μm。

6.一种电池，是依次具有正极层、电解质层和负极层的电池，

所述负极层含有权利要求1～5中任一项所述的活性物质。

7.一种活性物质的制造方法，是制造权利要求1～5中任一项所述的活性物质的方法，具有准备前体化合物的准备工序和对所述前体化合物进行热处理的热处理工序，

所述前体化合物至少含有Na元素和Si元素，且至少具有津特耳相，

所述热处理工序具有在减压状态以100℃/分钟以上的速度升温到第一温度的升温处理、以及所述升温后在减压状态下进行烧成的烧成处理。