[发明专利]一种转移基板和转移方法有效
| 申请号: | 201911025775.3 | 申请日: | 2019-10-25 |
| 公开(公告)号: | CN110739260B | 公开(公告)日: | 2023-08-11 |
| 发明(设计)人: | 董立文;吕志军;张锋;刘文渠;孟德天;崔钊;宋晓欣;王利波 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L33/48 |
| 代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 解婷婷;曲鹏 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 转移 方法 | ||
一种转移基板和转移方法,其中,转移基板用于将原始基板上的多个待转移元件转移到目标基板,转移基板包括:可拉伸的承载基板和设置在承载基板上的多个框体;框体在承载基板的承载面围绕形成空心区域,在转移基板执行转移操作时,空心区域用于容纳待转移元件,框体用于在承载基板处于未拉伸状态时夹持固定待转移元件。本申请实施例通过设置在可拉伸的承载基板上的框体来夹持固定待转移元件,使得转移基板可以重复使用,不仅简化了转移过程工艺,同时还降低了生产成本。
技术领域
本文涉及显示技术领域,具体涉及一种转移基板和转移方法。
背景技术
发光二极管(Light Emitting Diode,LED)技术发展了近三十年,从最初的固态照明电源到显示领域的背光源再到LED显示屏,为其更广泛的应用提供了坚实的基础。随着芯片制作及封装技术的发展,15微米以下的微型发光二极管(Micro Light Emitting Diode,Micro LED)显示逐渐成为显示面板的一个热点。Micro LED(也称微发光二极管uLED)显示具有低功耗、高色域、高稳定性、高分辨率、超薄、易实现柔性显示等显著优势,有望成为替代有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,OLED)显示的更优显示技术。
相关技术中,Micro LED只能通过外延生长制备,而如何将Micro LED从最初的外延衬底上简便、可靠地巨量转移到显示基板上,一直是业界难题,造成了Micro LED显示的发展缓慢。巨量转移技术的主要方向包括微转印转移等,其中,微转印转移是转移基板吸附Micro LED并释放到指定位置。现有微转印方式的转移过程工艺复杂且生产成本较高。
发明内容
本申请提供了一种转移基板和转移方法,解决了转移过程工艺复杂且生产成本较高的技术问题。
第一方面,本申请提供了一种转移基板,用于将原始基板上的多个待转移元件转移到目标基板,所述转移基板包括:可拉伸的承载基板和设置在所述承载基板上的多个框体;
所述框体在承载基板的承载面围绕形成空心区域,在转移基板执行转移操作时,所述空心区域用于容纳待转移元件,所述框体用于在所述承载基板处于未拉伸状态时夹持固定所述待转移元件。
可选地,当承载基板处于拉伸状态时,所述空心区域所占用的面积大于所述待转移元件在承载基板上的正投影所占的面积;当承载基板处于未拉伸状态时,所述空心区域所占用的面积缩小为所述待转移元件在承载基板上的正投影所占的面积。
可选地,所述多个框体在所述承载基板上呈阵列分布;
至少一个框体包括:四个分开设置的边框;
第一边框和第二边框相对设置,第三边框和第四边框相对设置,所述每个边框呈直线型或者L型。
可选地,当所述边框呈直线型时,所述第一边框的延伸方向与所述第三边框的延伸方向相互垂直。
可选地,所述每个边框包括:多个沿边框延伸方向设置的,且相互分开设置的子边框。
可选地,所述框体的高度小于所述待转移元件的高度。
可选地,所述待转移元件为发光元件;
所述发光元件包括:微发光二极管。
可选地,当待转移元件的纵截面为梯形时,所述边框的纵截面为倒梯形。
可选地,所述承载基板的材质包括橡胶或者树脂;所述框体的材质包括树脂。
第二方面,本申请还提供一种采用上述转移基板的转移方法,所述方法包括:
提供一原始基板,所述原始基板包括多个待转移元件;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





