[发明专利]一种IGBT动态参数测试平台的杂散电容获取方法

说明书

本发明公开了一种IGBT动态参数测试平台的杂散电容获取方法，通过分析提取IGBT动态参数测试平台所涉及的杂散电容；根据包含杂散电容测试电路的等效电路图，计算在IGBT的关断过程中杂散电容的电流分量；根据电流分量获取IGBT关断瞬态过程中实测电流与理想电流的差值；利用IGBT关断瞬态过程，获得实测电流与理想电流的差值与杂散电容、IGBT集射极电压变化率之间的关联关系；根据关联关系计算IGBT动态参数测试平台的杂散电容值。本发明基于IGBT器件的关断瞬态波形，利用瞬态电压变化率和电流变化量，通过实测的方法计算动态测试平台的杂散电容，为准确评估器件的动态性能，提供可靠的动态数据奠定基础。

技术领域

本发明涉及器件测试技术领域，具体涉及一种IGBT动态参数测试平台的杂散电容获取方法。

背景技术

IGBT结合了MOS器件与双极晶体管器件的优势，经过多年的发展，已经成为电力电子领域的主流器件，广泛应用于通信、交通、工业以及输电等领域。IGBT动态参数的测试是IGBT性能的基本测试项目，其动态参数是器件应用设计的基础。为了测量IGBT器件的动态参数，需要搭建相应动态性能测试平台，但是由于测试回路中杂散电容的存在，在关断瞬态过程中，电压的快速变化，会导致电流的畸变，会影响器件参数的测试结果。因此确定杂散电容值的大小，对于准确获得IGBT器件的动态参数具有重要意义，然而现有技术中尚未对IGBT动态参数测试平台杂散电容的计算方法展开研究。

发明内容

因此，本发明提供IGBT动态参数测试平台的杂散电容获取方法，解决了现有技术中无法获取IGBT动态参数测试平台存在杂散电容，从而影响器件参数的测试结果的问题。

本发明实施例提供一种IGBT动态参数测试平台的杂散电容获取方法，包括如下步骤：分析提取IGBT动态参数测试平台所涉及的杂散电容；根据包含杂散电容测试电路的等效电路图，计算在IGBT的关断过程中杂散电容的电流分量；根据所述电流分量获取IGBT关断瞬态过程中实测电流与理想电流的差值；利用IGBT关断瞬态过程，获得实测电流与理想电流的差值与杂散电容、IGBT集射极电压变化率之间的关联关系；根据所述关联关系计算IGBT动态参数测试平台的杂散电容值。

在一实施例中，所述的IGBT动态参数测试平台的杂散电容获取方法，还包括：选取多个数据采集点，获取对应计算得到的多个杂散电容值的平均值，作为IGBT动态参数测试平台的杂散电容值。

在一实施例中，所述杂散电容包括：IGBT集电极与直流母线电容正极之间的寄生电容，以及IGBT集电极与直流母线电容负极之间的寄生电容。

在一实施例中，所述在IGBT的关断过程中杂散电容的电流分量，通过以下公式计算：

其中，C_σ1为IGBT集电极与直流母线电容正极之间的寄生电容，ic₁为寄生电容产生的电流分量；C_σ2为IGBT集电极与直流母线电容负极之间的寄生电容，ic₂为寄生电容C_σ2产生的电流分量；u_ce为IGBT集射极电压，u_c为直流母线电压。

在一实施例中，所述实测电流与理想电流的差值电流变化量，通过以下公式计算：

其中，I_M为实测电流值，I_L为理想电流。

在一实施例中，所述实测电流与理想电流的差值与杂散电容、IGBT集射极电压变化率之间的关联关系为：

其中，C_σ为总的杂散电容值。