[发明专利]一种高位补能型自举电路及其控制方法

权利要求书

1.一种高位补能型自举电路，包括自举电路，其特征是：在自举电路中增加一路以母线正P为地的隔离电源V_P，隔离电源V_P一路经电容Cp接母线正P，隔离电源V_P另一路经电阻R后连接到各开关S_i 的一端，i=1，2，……，N，开关S_i的另一端分别连接各上管自举电容。

2.根据权利要求1所述的高位补能型自举电路，其特征是：所述开关S_i与对应相的上管逻辑上共用PWM_iu驱动。

3.根据权利要求1所述的高位补能型自举电路，其特征是：每一相上管对应设置上管驱动电压比较电路，当某相上管的驱动电压低于门限值时，输出使能信号，使能信号和上管PWM信号做“与”逻辑产生该相的开关信号，控制对应的开关S_i。

4.一种权利要求1、2或3所述的高位补能型自举电路的控制方法，其特征是：在自举电路中增加一路以母线正P为地的隔离电源V_P，隔离电源V_P一路经电容Cp接母线正P，隔离电源V_P另一路经电阻R后连接到各开关S_i 的一端，开关S_i的另一端分别连接各上管自举电容；当上管自举电容电压降低时，隔离电源V_P通过电阻R、开关S_i，给上管自举电容充电。

5.根据权利要求4所述的高位补能型自举电路的控制方法，其特征是：所述开关S_i与对应相的上管逻辑上共用PWM_iu驱动；每一相上管对应设置上管驱动电压比较电路，当某相上管的驱动电压低于门限值时，输出使能信号，使能信号和上管PWM信号做“与”逻辑产生该相的开关信号，控制对应的开关S_i。

6.根据权利要求4所述的高位补能型自举电路的控制方法，其特征是：复用系统控制的MCU/CPU，根据每一相上管PWM信号的占空比判断，如果某一相上管持续开通t₁时间，或者上管导通占空比超过D₁持续一段时间t₂，则输出使能信号，使能信号和该相上管PWM信号做“与”逻辑产生开关的PWM信号。