[发明专利]蚀刻方法和等离子体处理装置

权利要求书

1.一种使用等离子体处理装置来执行的蚀刻方法，该蚀刻方法在基片被载置于基片支承台上的状态下执行，所述基片支承台设置在该等离子体处理装置的腔室内，所述蚀刻方法的特征在于，包括：

为了从所述腔室内的气体生成等离子体而供给高频电力的步骤；

为了利用来自所述等离子体的正离子来蚀刻所述基片，在供给所述高频电力的所述步骤的执行过程中，对所述基片支承台的下部电极施加负极性的直流电压的步骤；

为了生成负离子而停止对所述下部电极进行的所述负极性的直流电压的施加和所述高频电力的供给的步骤；和

为了将所述负离子供给到所述基片，在停止了所述高频电力的供给的状态下，对所述下部电极施加正极性的直流电压的步骤。

2.如权利要求1所述的蚀刻方法，其特征在于：

还包括在蚀刻流程执行了一次以上之后，在停止了所述高频电力的供给并且对所述下部电极停止了直流电压的施加的状态下，从所述腔室的内部空间排出气体的步骤，其中，所述蚀刻流程包括供给高频电力的所述步骤、施加负极性的直流电压的所述步骤、停止所述负极性的直流电压的施加和所述高频电力的供给的所述步骤和施加正极性的直流电压的所述步骤。

3.如权利要求2所述的蚀刻方法，其特征在于：

反复执行另一流程，该另一流程包括执行一次以上的所述蚀刻流程和排出气体的所述步骤。

4.如权利要求3所述的蚀刻方法，其特征在于：

在所述另一流程的执行期间中，排出气体的所述步骤被执行10μ秒以上。

5.如权利要求3或4所述的蚀刻方法，其特征在于：

随着所述另一流程的执行次数的增加，排出气体的所述步骤的执行期间的时长增加。

6.如权利要求1～5中任一项所述的蚀刻方法，其特征在于：

在停止所述负极性的直流电压的施加和所述高频电力的供给的所述步骤的执行过程中，测量表示所述腔室内的电子密度的参数，

在根据所述参数而判断为所述腔室内的电子密度以满足规定的基准的方式减少的情况下，开始施加正极性的直流电压的所述步骤。

7.如权利要求1～6中任一项所述的蚀刻方法，其特征在于：

在停止所述负极性的直流电压的施加和所述高频电力的供给的所述步骤中，在停止所述高频电力的供给之前，停止对所述下部电极进行的所述负极性的直流电压的施加。

8.如权利要求1～7中任一项所述的蚀刻方法，其特征在于：

在供给高频电力的所述步骤中，为了生成所述等离子体，断续地供给所述高频电力的多个脉冲。

9.如权利要求1～8中任一项所述的蚀刻方法，其特征在于：

在施加负极性的直流电压的所述步骤中，所述负极性的直流电压的多个脉冲被断续地施加到所述下部电极。

10.如权利要求1～9中任一项所述的蚀刻方法，其特征在于：

在施加正极性的直流电压的所述步骤在，所述正极性的所述直流电压的多个脉冲被断续地施加到所述下部电极。