[发明专利]反射光罩

说明书

一种反射光罩包括基板、位于基板上方的光吸收层、位于光吸收层上方的反射层、及位于反射层上方的吸收图案。反射层覆盖光吸收层的第一部分，且光吸收层的第二部分未由反射层覆盖。

技术领域

本揭露涉及一种反射光罩。

背景技术

半导体集成电路(integrated circuit；IC)工业已经经历了指数式增长。IC材料及设计的技术进步产生了数代IC，其中每一代具有比前一代更小且更复杂的电路。在IC演变的过程中，功能密度(亦即，每晶片面积互连装置的数目)通常增加，同时几何学尺寸(亦即，可使用制造制程产生的最小元件(或接线))减小。此按比例缩小制程通常通过提高生产效率以及降低相关成本来提供益处。

此类按比例缩小亦增加了处理及制造IC的复杂度，并且为了实现此等进步，需要IC处理及制造的类似发展。举例而言，实施极紫外线平版印刷术(extreme ultravioletlithography；EUVL)以满足更高解析度平版印刷制程的需求。

发明内容

根据本揭露的一些实施例，一种反射光罩包括：基板；光吸收层，该光吸收层位于该基板上方；反射层，该反射层位于光吸收层上方；及吸收图案，该吸收图案位于反射层上方。反射层覆盖光吸收层的第一部分，且光吸收层的第二部分未由反射层覆盖。

附图说明

当结合随附诸图阅读时，自以下详细描述最佳的理解本揭露的态样。根据工业上的一般实务，各种特征并未按比例绘制。事实上，为了图示及论述的清楚，可任意地增大或减小各种特征的尺寸。

图1是根据本揭露的一些实施例的极紫外线(extreme ultraviolet；EUV)平版印刷系统的示意图；

图2是根据本揭露的一些实施例的图1的反射光罩的部分或整体的顶部示意图；

图3是沿图2的线3截取的图2的反射光罩的横截面图；

图4是根据本揭露的一些实施例的用于制造反射光罩的方法的流程图；

图5至图7及图9至图18是根据本揭露的一些实施例的制造图3的反射光罩的方法的不同步骤的横截面图；

图8A、图8B及图8C是根据本揭露的一些实施例的图6的光吸收层的部分视图；

图19是根据本揭露的一些实施例的用于制造反射光罩的另一方法的流程图；

图20至图25是根据本揭露的一些实施例的制造图3的反射光罩的另一方法的不同步骤的横截面图。

【符号说明】

3 线

10 影像区域

20 黑色边界区域

30 框架区域

100 极紫外线(EUV)平版印刷系统

102 辐射源

104 EUV光

106 聚光器光学器件

110 光罩台

112 投影光学器件

114 基板台

116 晶圆

118 光阻膜

200 反射光罩

210 基板

220 光吸收层

220a 光吸收层