[发明专利]一种HEMT器件及其制备方法

权利要求书

1.一种HEMT器件，其特征在于，包括：

衬底；

AlGaN层，所述AlGaN层结合于所述衬底的一表面；

源极和漏极，分别欧姆接触设置于所述AlGaN层的彼此间隔两部分的表面上；

缓冲层，所述缓冲层包括第一保护层、AlN层、第二保护层；所述第一保护层与第二保护层分别贴合设置于所述AlN层的两侧，且所述第一保护层的一端与所述源极的一端紧贴设置，所述第二保护层的一端与所述漏极的一端紧贴设置；所述缓冲层层叠结合于所述AlGaN层背离所述衬底的表面；

P型GaN层，层叠结合于所述AlN层背离所述AlGaN层的表面；所述P型GaN层的两侧贴合有第一高阻氮化镓层，第二高阻氮化镓层，且所述第一高阻氮化镓层的一端与所述源极的一端紧贴设置，所述第二高阻氮化镓层的一端与所述漏极的一端紧贴设置；所述第一高阻氮化镓层，第二高阻氮化镓层分别层叠结合于所述第一保护层与第二保护层背离所述AlGaN层的表面；

栅极，层叠结合于所述P型GaN层背离所述AlN层的表面；

钝化保护层，覆盖于所述源极、漏极、第一高阻氮化镓层，第二高阻氮化镓层、栅极所形成的表面，且所述源极、漏极、栅极的上表面有部分裸露。

2.如权利要求1所述的HEMT器件，其特征在于：所述衬底的材料为碳化硅、蓝宝石、硅片中的任意一种。

3.如权利要求1所述的HEMT器件，其特征在于：所述第一保护层和第二保护层的材料为Al2O。

4.如权利要求1所述的HEMT器件，其特征在于：所述钝化保护层的材料为SiN。

5.如权利要求1所述的HEMT器件，其特征在于：

所述AlGaN层的厚度为12nm；

所述第一保护层、AlN层、第二保护层的厚度为2nm：

所述第一高阻氮化镓层，第二高阻氮化镓层、p型掺杂GaN层的厚度为70-100nm；

所述钝化保护层的厚度为20nm。

6.如其权利要求1-5任一所述的HEMT器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

在衬底一表面生长AlGaN层；

利用光刻胶遮挡住所述AlGaN层的中部，在所述AlGaN层两端采用蒸镀方式制备源极和漏极；

沿衬底一表面向外延伸的方向，在所述AlGaN层上，源极和漏极之间依次生长缓冲层和p型掺杂GaN层；

在所述p型掺杂GaN层中部蒸镀栅极；

在所述p型掺杂GaN层和缓冲层未被栅极覆盖的两侧注入氧离子；

在器件表面生长一层钝化保护层，且在源极、漏极、栅极上表面通过提前遮挡留下部分裸露。

7.如权利要求6所述的HEMT器件的制备方法，其特征在于：所述AlGaN层通过高温MOCVD外延法生长。

8.如权利要求7所述的HEMT器件的制备方法，其特征在于：所述AlGaN层生长采用三甲基镓作为镓源，三甲基铝作为铝源，氨气作为氮源。

9.如权利要求6所述的HEMT器件的制备方法，其特征在于：所述p型掺杂GaN层采用金属有机物化学气相沉积法制备。

10.如权利要求9所述的HEMT器件的制备方法，其特征在于：所述p型掺杂GaN层采用尿素为氮源，液态金属镓为镓源，环戊二烯基镁可以用作p型掺杂剂。