[发明专利]包含堆叠的存储器叠组的集成组件以及形成集成组件的方法

权利要求书

1.一种形成堆叠的存储器单元叠组的方法，其包括：

形成第一叠组，所述第一叠组具有布置成一层安置在另一层之上的第一层的第一存储器单元，且具有延伸穿过所述第一层的第一沟道材料柱；

在所述第一叠组上形成叠组间结构；所述叠组间结构包括绝缘扩大区，且包括延伸穿过所述绝缘扩大区且直接在所述第一沟道材料柱上的区；所述区包括蚀刻终止结构；

在所述叠组间结构上形成第二叠组；所述第二叠组具有布置成一层安置在另一层之上的第二层的第二存储器单元；

形成延伸穿过所述第二层且到所述蚀刻终止结构的开口；

使所述开口延伸穿过所述蚀刻终止结构；在相对于所述绝缘扩大区选择性地移除所述蚀刻终止结构的条件下，使所述开口延伸；以及

在所述开口内形成第二沟道材料柱，且将其耦合到所述第一沟道材料柱。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一沟道材料柱是延伸穿过所述第一叠组的所述第一层的许多基本上相同的第一沟道材料柱中的一者；其中所述第二沟道材料柱是延伸穿过所述第二叠组的所述第二层的许多基本上相同的第二沟道材料柱中的一者；且其中所述第一沟道材料柱中的至少一者并未与第二沟道材料柱耦合，而是在所述第一沟道材料柱中的其它者与所述第二沟道材料柱耦合之后仍由所述蚀刻终止结构覆盖。

3.根据权利要求2所述的方法，其包括将所述堆叠的存储器单元叠组并入半导体封装中；且其中在所述半导体封装内，所述沟道材料柱中的所述至少一者仍由所述蚀刻终止结构覆盖。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述蚀刻终止结构包括含金属材料。

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述含金属材料包括钨、氮化钨、钛和氮化钛中的一或多者。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述蚀刻终止结构包括金属氧化物。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述金属氧化物包括氧化镁、氧化铝、二氧化铪和氧化锆中的一或多者。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述蚀刻终止结构包括至少两种不同材料。

9.根据权利要求8所述的方法，其中所述至少两种不同材料包含处于并非氧化物的含金属材料上的氧化物。

10.根据权利要求9所述的方法，其中所述氧化物是金属氧化物。

11.根据权利要求8所述的方法，其中所述至少两种不同材料包含钨上的氧化铝。

12.一种形成堆叠的存储器单元叠组的方法，其包括：

在源极导体结构上形成第一叠组；所述第一叠组具有布置成一层安置在另一层之上的第一层的第一存储器单元，且具有延伸穿过所述第一层且与所述源极导体结构耦合的第一沟道材料柱；

在所述第一叠组上形成间隔结构；所述间隔结构包括绝缘扩大区，且包括延伸穿过所述绝缘扩大区到与所述第一沟道材料柱相关联的导电耦合器的区；所述区包括蚀刻终止结构；

在所述间隔结构上形成第二叠组；所述第二叠组具有布置成一层安置在另一层之上的第二层的第二存储器单元；

形成延伸穿过所述第二层且到所述蚀刻终止结构的开口；

使所述开口延伸穿过所述蚀刻终止结构到所述导电耦合器；在相对于所述绝缘扩大区且相对于所述导电耦合器选择性地移除所述蚀刻终止结构的条件下，使所述开口延伸；以及

在所述开口内形成第二沟道材料柱，且使其通过所述导电耦合器耦合到所述第一沟道材料柱。

13.根据权利要求12所述的方法，其中所述导电耦合器包括导电掺杂半导体材料。

14.根据权利要求12所述的方法，其中所述第一和第二沟道材料柱包括与彼此相同的组合物。