[发明专利]一种抗闩锁效应的沟槽型绝缘栅晶体管器件

权利要求书

1.一种抗闩锁效应的沟槽型绝缘栅晶体管器件，包括芯片本体，芯片本体的边缘为终端保护区，芯片本体包括N型基区（240）、位于N型基区上方的P型基区（250）、位于P型基区上部的P+接触区（280）及N+发射极区（260）、位于N型基区下方的N型场终止区（230）、位于N型场终止区下方的P型集电极区（220）、位于P型集电极区下方的集电极金属层（210）、位于P型基区表面的发射极金属（211），芯片本体的中部包括元胞区，元胞区内设有多个元胞，其特征在于：芯片本体的中部还包括与所述元胞区隔离的闩锁测试区，闩锁测试区内设有闩锁测试模块，闩锁测试模块包括两组测试端子组件（310），每组测试端子组件包括位于P+接触区上方并与P+接触区连接的闩锁测试端子（311）。

2.根据权利要求1所述的抗闩锁效应的沟槽型绝缘栅晶体管器件，其特征在于：两组测试端子组件的闩锁测试端子之间连接有电流源。

3.根据权利要求2所述的抗闩锁效应的沟槽型绝缘栅晶体管器件，其特征在于：还包括电压测试模块，电压测试模块的两个输入端分别与两组测试端子组件的闩锁测试端子连接。

4.根据权利要求1所述的抗闩锁效应的沟槽型绝缘栅晶体管器件，其特征在于：所述元胞包括位于两个N+发射极区之间的沟槽区（290）、位于沟槽区内侧的栅氧化层（291）、位于栅氧化层内侧的多晶硅栅极（292）、位于沟槽区上方并介于N+发射极区及发射极金属之间的绝缘介质层（270）。