[发明专利]阵列基板的制造方法及阵列基板

说明书

本发明提供一种阵列基板的制造方法及阵列基板，该制造方法包括：在衬底基板上沉积栅金属层，通过第一次光刻工艺形成栅极。在衬底基板和栅极上依次沉积栅极绝缘层、金属氧化物层、刻蚀阻挡层和源漏金属层，通过第二次光刻工艺使金属氧化物层和刻蚀阻挡层形成有源岛，源漏金属层形成源极和漏极，在源极和漏极之间形成沟槽区，且沟槽区延伸到刻蚀阻挡层。在栅极绝缘层、源极和漏极上沉积钝化层，通过第三次光刻工艺形成导电过孔。在钝化层上沉积透明导电层，通过第四次光刻工艺形成像素电极。在钝化层上涂覆遮光层，遮光层至少覆盖沟槽区，解决了现有的阵列基板制造工艺复杂，制造成本较高的问题。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板的制造方法及阵列基板。

背景技术

液晶显示面板具有机身薄、省电、无辐射等众多优点，被广泛的应用于电视、电脑、手机等电子产品中。液晶显示面板通常包括阵列基板(TFT基板)、与该阵列基板相对的彩膜基板(CF基板)以及夹设于该阵列基板和彩膜基板之间的液晶层，其中，阵列基板上设置有呈矩阵式排列的薄膜晶体管(Thin FilmTransistor，TFT)，彩膜基板上通常设置有用于滤光的彩色色阻层、用于遮光及防止不同颜色光混色的黑色矩阵(Black Matrix，BM)、以及用于支撑阵列基板和彩膜基板之间的液晶层盒厚(Cell Gap)的光阻间隔物(Photo Spacer，PS)。

目前，现有的阵列基板的制造方法主要包括六次光刻工艺，第一步，首先在衬底基板上沉积金属层，进行第一次光刻以形成栅极；第二步，依次沉积栅极绝缘层和铟镓锌氧化物IGZO半导体层，进行第二次光刻以形成有源层；第三部，沉积刻蚀阻挡层，并进行第三次光刻；第四步，沉积源漏极金属层，进行第四次光刻以形成源极、漏极以及沟道区；第五步，沉积钝化层和平坦层，进行第五次光刻以形成导电过孔；第六步，沉积透明导电薄膜，并进行第六次光刻，以形成像素电极以及使导电过孔和像素电极的连通图形。

上述现有的阵列基板制造工艺需进行六次光刻，工艺复杂，使阵列基板制造成本较高。

发明内容

本发明提供一种阵列基板的制造方法及阵列基板，以解决现有的阵列基板制造工艺复杂，制造成本较高的问题。

本发明提供一种阵列基板的制造方法，包括：

在衬底基板上沉积栅金属层，通过第一次光刻工艺，使所述栅金属层形成栅极；

在所述衬底基板和所述栅极上依次沉积栅极绝缘层、金属氧化物层、刻蚀阻挡层和源漏金属层，通过第二次光刻工艺，使所述金属氧化物层和所述刻蚀阻挡层形成有源岛，同时所述源漏金属层形成源极和漏极，并在所述源极和所述漏极之间形成沟槽区，且所述沟槽区延伸到所述刻蚀阻挡层；

在所述栅极绝缘层、所述源极和所述漏极上沉积钝化层，通过第三次光刻工艺，在所述漏极上方的所述钝化层上形成导电过孔；

在所述钝化层上沉积透明导电层，通过第四次光刻工艺，使所述透明导电层形成像素电极，所述像素电极通过所述导电过孔与所述漏极电连通；

在所述钝化层上涂覆遮光层，且所述遮光层至少覆盖所述沟槽区。

在本发明的具体实施方式中，还包括：

在所述钝化层上涂覆遮光层之后，通过第五次光刻工艺，使所述遮光层形成主间隔物。

在本发明的具体实施方式中，还包括：

在所述钝化层上涂覆遮光层时，在栅极线对应的所述像素电极上涂覆遮光层；

通过第五次光刻工艺，使所述沟槽区对应的所述遮光层形成子间隔物，所述栅极线对应的所述遮光层形成主间隔物。

在本发明的具体实施方式中，所述第二次光刻工艺具体包括：