[发明专利]指纹识别模组及其制造方法、电子设备

权利要求书

1.一种指纹识别模组的制造方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底中形成有信号处理电路；

在所述衬底上形成第一氧化层；

提供承载基底；

在所述承载基底上形成压电换能器，所述压电换能器包括第一电极、位于所述第一电极上的压电层、以及位于所述压电层上的第二电极；

在所述压电换能器上形成具有空腔的第二氧化层，所述空腔至少露出所述第二电极；

通过所述第二氧化层和所述第一氧化层，采用熔融键合工艺实现所述承载基底和所述衬底的键合；

去除所述承载基底。

2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在所述压电换能器上形成具有空腔的第二氧化层的步骤包括：形成覆盖所述压电换能器的氧化材料层；

采用干法刻蚀工艺图形化所述氧化材料层，在所述氧化材料层中形成所述空腔，剩余的所述氧化材料层作为所述第二氧化层。

3.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在所述衬底上形成第一氧化层后，在进行键合之前，还包括：对所述第一氧化层进行平坦化处理。

4.如权利要求2所述的制造方法，其特征在于，形成覆盖所述压电换能器的氧化材料层后，图形化所述氧化材料层之前，还包括：对所述氧化材料层进行平坦化处理。

5.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在所述承载基底上形成压电换能器的步骤包括：在所述承载基底上形成多个第一电极；

形成覆盖所述承载基底和第一电极的压电层；

在所述压电层上形成多个第二电极，所述第二电极与所述第一电极相对设置。

6.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在所述承载基底上形成压电换能器的步骤包括：形成覆盖所述承载基底的整层导电层；

形成覆盖所述导电层的压电层；

在所述压电层上形成多个第二电极；

在去除所述承载基底后，还包括：图形化所述导电层，形成多个所述第一电极，且分别与所述第二电极相对设置。

7.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在所述承载基底上形成所述压电换能器之前，还包括：在所述承载基底上形成隔离层；

利用减薄工艺去除所述承载基底，且所述隔离层作为所述减薄工艺的停止层。

8.如权利要求5所述的制造方法，其特征在于，在所述承载基底上形成压电换能器之前，还包括：在所述承载基底上形成隔离层；

去除所述承载基底后，还包括：

在所述隔离层中形成多个露出所述第一电极的第一导电孔；

在所述隔离层和所述压电层中形成多个露出所述第二电极的第二导电孔；

在所述第一导电孔和第二导电孔中填充导电材料，形成电连接所述第一电极的第一导电插塞、以及电连接所述第二电极的第二导电插塞。

9.如权利要求6所述的制造方法，其特征在于，在所述承载基底上形成压电换能器之前，还包括：在所述承载基底上形成隔离层；

在去除所述承载基底后，图形化所述导电层之前，还包括：在所述隔离层中形成多个露出所述第一电极的第一导电孔；

图形化所述导电层的步骤还包括图形化所述隔离层，使所述多个第一导电孔与所述第一电极相对应；

图形化所述导电层后，还包括：在所述压电层中形成露出所述第二电极的第二导电孔；在所述第一导电孔和第二导电孔中填充导电材料，形成电连接所述第一电极的第一导电插塞、以及电连接所述第二电极的第二导电插塞。

10.如权利要求5所述的制造方法，其特征在于，在进行键合之前，还包括：

在所述压电层中形成第三导电孔；

在进行键合的步骤中，使所述第三导电孔和所述信号处理电路的相应连接端相对应；

去除所述承载基底之后，还包括：在所述第二氧化层和第一氧化层中形成与所述第三导电孔相贯通的第四导电孔；在所述第三导电孔和第四导电孔中形成电连接所述信号处理电路的相应连接端的第三导电插塞。