[发明专利]封装方法及封装结构

说明书

一种封装方法及封装结构，封装方法包括：提供基板以及键合于基板上的芯片；在基板上形成覆盖芯片的封装层，封装层包括多层子封装层，且沿基板指向芯片的方向上，子封装层的材料的热膨胀系数逐渐减小。本发明的封装层包括多层子封装层，且沿基板指向芯片的方向上，子封装层的材料的热膨胀系数逐渐减小，也就是说，靠近芯片的子封装层的材料的热膨胀系数较大，芯片不易发生碎裂，相应的，远离芯片的子封装层的材料的热膨胀系数较小，这有利于降低基板的翘曲度；因此，通过使子封装层的材料的热膨胀系数沿基板指向芯片的方向上逐渐减小，能够在降低芯片发生碎裂的概率的时，降低基板的翘曲度，从而提高封装可靠性。

技术领域

本发明实施例涉及半导体制造领域，尤其涉及一种封装方法及封装结构。

背景技术

随着超大规模集成电路的发展趋势，集成电路特征尺寸持续减小，人们对集成电路的封装技术的要求相应也不断提高。其中，系统级封装(System in Package，SIP)是将多个具有不同功能的有源元件、无源元件、微机电系统 (MEMS)、光学元件等其他元件，组合到一个单元中，形成一个可提供多种功能的系统或子系统，允许异质IC集成。相比于系统级芯片(System on Chip， SoC)，系统级封装的集成相对简单，设计周期和面市周期更短，成本较低，可以实现更复杂的系统，是一种较为普遍的封装技术。

目前，为了满足集成电路封装的更低成本、更可靠、更快及更高密度的目标，先进的封装方法主要采用晶圆级封装(Wafer Level Package，WLP)，晶圆级封装是在晶圆(Wafer)上完成封装制程，与传统的系统级封装相比，晶圆级封装具有大幅减小封装结构的面积、降低制造成本、优化电性能、批次制造等优势，可明显的降低工作量与设备的需求。

其中，模塑(molding)工艺是晶圆级封装的关键步骤，通过模塑工艺以实现对芯片及内部的密封保护。

发明内容

本发明实施例解决的问题是提供一种封装方法及封装结构，提高封装可靠性。

为解决上述问题，本发明实施例提供一种封装方法，包括：提供基板以及键合于所述基板上的芯片；在所述基板上形成覆盖所述芯片的封装层，所述封装层包括多层子封装层，且沿所述基板指向所述芯片的方向上，所述子封装层的材料的热膨胀系数逐渐减小。

可选的，最远离所述芯片的所述子封装层为顶部子封装层，剩余的所述子封装层为底部子封装层；进行至少一次塑封制程形成所述底部子封装层，所述塑封制程的步骤包括：形成覆盖所述芯片的初始子封装层；沿垂直于所述初始子封装层的侧壁方向，对所述初始子封装层的侧壁进行减薄处理，所述减薄处理后的剩余所述初始子封装层作为底部子封装层。

可选的，形成所述子封装层的工艺包括热压合工艺。

可选的，所述热压合工艺为热压成型工艺或热压贴附工艺。

可选的，对所述初始子封装层的侧壁进行减薄处理的步骤包括：研磨所述初始子封装层的侧壁。

可选的，对所述初始子封装层的侧壁进行减薄处理的步骤中，对所述初始子封装层的侧壁的去除量为0.5毫米至6毫米。

可选的，形成所述封装层的步骤中，最靠近所述芯片的所述子封装层顶面至所述芯片顶面的距离至少为50微米。

可选的，形成所述封装层的步骤中，所述子封装层的层数为两层。

可选的，所述子封装层包括第一子封装层以及覆盖所述第一子封装层的第二子封装层，所述第一子封装层的材料的热膨胀系数为9×10^-6/℃至16× 10^-6/℃，所述第二子封装层的材料的热膨胀系数为6×10^-6/℃至9×10^-6/℃。

可选的，所述子封装层的材料均为环氧塑封料。