[发明专利]电磁炉的控制方法和电磁炉

说明书

本申请实施例提供一种电磁炉的控制方法和电磁炉，该方法包括：在用户设定的电磁炉连续工作的工作功率为第一期望功率，且第一期望功率在预设范围内时，确定电磁炉的IGBT的温度从第一温度更新至第二温度，第二温度大于或等于IGBT的过热保护温度；根据该第一期望功率和该第二温度，调整该电磁炉工作功率至第一功率；根据该第一功率和该第一期望功率，获取该电磁炉的第一工作参数；该第一工作参数使得该电磁炉在工作功率调整至该第一功率后的平均功率等于该第一期望功率；控制该电磁炉在该第一功率下根据该第一工作参数工作。本申请可以在提高电磁炉的工作功率以降低电磁炉内部器件IGBT的温度的基础上，保证低功率烹饪的效果。

技术领域

本申请实施例涉及电器技术，尤其涉及一种电磁炉的控制方法和电磁炉。

背景技术

一些电子设备的工作功率可根据用户的需求进行调整，比如，在电子设备为电磁炉时，可将电磁炉的工作功率调整至较低功率以实现小火煲炖等功能。

对于单绝缘栅双极型晶体管(insulated gate bipolar transistor，简称IGBT)的电磁炉，如果电磁炉在低功率工作且输入电压大于额定电压较多时，电磁炉的IGBT的集电极(C极))导通台阶电压会大幅升高，从而导致IGBT的温度急剧上升，需要提高电磁炉的工作功率，来降低IGBT的C极导通台阶电压以达到降低IGBT的温度的目的；但是电磁炉工作功率升高后，会影响低功率烹饪的效果。

发明内容

本申请实施例提供一种电磁炉的控制方法和电磁炉，可在提高电磁炉的工作功率以降低IGBT的温度的基础上，保证低功率烹饪的效果。

第一方面，本申请实施例提供一种电磁炉的控制方法，包括：在用户设定的电磁炉连续工作的工作功率为第一期望功率，且所述第一期望功率在预设范围内时，确定所述电磁炉的绝缘栅双极型晶体管IGBT的温度从第一温度更新至第二温度，所述第二温度大于或等于所述IGBT的过热保护温度；根据所述第一期望功率和所述第二温度，调整所述电磁炉的工作功率至第一功率；根据所述第一功率和所述第一期望功率，获取所述电磁炉的第一工作参数；所述第一工作参数使得所述电磁炉在工作功率调整至所述第一功率后的平均功率等于所述第一期望功率；控制所述电磁炉在所述第一功率下根据所述第一工作参数工作。

本方案中，在确定IGBT的温度更新至大于或等于IGBT的过热保护温度的第二温度时，根据用户设定的连续工作的工作功率第一期望功率和第二温度，确定一新的工作功率，根据该新的工作功率和第一期望功率，获取电磁炉在新的工作功率下的工作参数，该工作参数满足如下条件：该工作参数使得电磁炉在工作功率调整至新的工作功率后的平均功率等于第一期望功率，因此，本方案可以在提高电磁炉的工作功率以降低电磁炉内部器件IGBT的温度的基础上，保证低功率烹饪的效果。

在一种可能的设计中，所述电磁炉的第一工作参数，包括：所述电磁炉的工作周期和每个工作周期内的工作时长。

本方案中，工作参数包括工作周期和每个工作周期内的工作时长，即可通过间断性的工作使得电磁炉在工作功率调整至比第一期望功率高的工作功率后的平均功率等于第一期望功率，即可实现在通过提高电磁炉的工作功率以降低电磁炉内部器件IGBT的温度的基础上，保证低功率烹饪的效果。

在一种可能的设计中，根据所述第一功率和所述第一期望功率，获取所述电磁炉的第一工作参数，包括：获取所述电磁炉的工作周期；根据所述工作周期、所述第一功率和所述第一期望功率，确定每个所述工作周期内的工作时长。

本方案给出了根据调整后的新的工作功率和第一期望功率，获取电磁炉的工作参数的具体实现。

在一种可能的设计中，所述获取所述电磁炉的工作周期，包括：获取所述电磁炉的预设的工作周期。

本方案中电磁炉的工作周期是预设好的，可提高获取电磁炉的工作参数的效率。