[发明专利]一种非卤素铅掺杂的钙钛矿薄膜、制备方法及其应用

权利要求书

1. 一种非卤素铅掺杂的钙钛矿薄膜，其特征在于，所述的钙钛矿薄膜由钙钛矿前驱体溶液添加草酸铅制备而成，所述非卤素铅掺杂的钙钛矿薄膜的制备方法包括以下步骤：将配置好的草酸铅溶液加入钙钛矿前驱体溶液中，将混合的钙钛矿前驱体溶液旋涂于基片上，再对旋涂后的基片进行退火处理，得到钙钛矿薄膜，所述旋涂过程分为两个阶段，2000r/min旋涂20s，随后4000 r/min旋涂40s，在第二阶段的20-25 s滴加反溶剂。

2.根据权利要求1所述的一种非卤素铅掺杂的钙钛矿薄膜，其特征在于，所述草酸铅的掺杂浓度为0.03-0.2%。

3.根据权利要求1所述的一种非卤素铅掺杂的钙钛矿薄膜，其特征在于，所述草酸铅由稀盐酸溶液配置而成。

4.根据权利要求1所述的一种非卤素铅掺杂的钙钛矿薄膜，其特征在于，钙钛矿薄膜旋涂结束后放置1-5 min，随后在100-110℃条件下退火10-15 min。

5.权利要求1-4任一项所述的钙钛矿薄膜在制备钙钛矿太阳能电池中的应用，所述的钙钛矿太阳能电池中包括室内钙钛矿太阳能电池。

6.根据权利要求5所述的应用，其特征在于，所述的钙钛矿太阳能电池的制备方法包括以下步骤：

将FTO透明导电玻璃基片进行标准化清洗烘干后进行预处理；

配制草酸铅掺杂的钙钛矿前驱体溶液，于基片上沉积二氧化钛；

将配制的混合钙钛矿前驱体溶液旋涂于沉积有二氧化钛的基片上制备成钙钛矿薄膜层；

在所述的钙钛矿薄膜层上旋涂空穴传输层；

在所述空穴传输层上蒸镀电极。

7.根据权利要求6所述的应用，其特征在于，FTO透明导电玻璃基片进行标准化清洗的步骤为：洗洁精擦洗基片，随后按照洗洁精、乙醇、丙酮的顺序，各超声2次，每次15-20 min。