[发明专利]晶圆缺陷检测对位装置在审
| 申请号： | 201911005266.4 | 申请日： | 2019-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN112697703A | 公开（公告）日： | 2021-04-23 |
| 发明（设计）人： | 魏汝超;孙泰炎;罗仁昱;陈东林 | 申请（专利权）人： | 超能高新材料股份有限公司 |
| 主分类号： | G01N21/01 | 分类号： | G01N21/01;G01N21/95 |
| 代理公司： | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 | 代理人： | 李林 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 缺陷 检测 对位 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种晶圆缺陷检测对位装置，能取得同时具有表面及穿透的影像信息，其特征在于，包含：
一光源装置，照射区域为1-400mm直径的区域；
一影像撷取装置，用以取得穿透及表面信息的影像；
一角度旋转装置，用以顶起样品并将样品旋转至适当角度，所述的适当角度为晶片切割或磊晶排列方向平行于样品检测时的移动方向，且角度旋转装置中有容纳光源装置或影像撷取装置的空间；
一检测平台，用于承载待测样品；
一运动机构，用以移动样品。
2.如权利要求1所述的晶圆缺陷检测对位装置，其特征在于：光源装置的波长与晶圆基材相互配合，若基板材质为硅或砷化镓，则波长选用范围为800-1700nm；氮化镓或氧化铝基板的波长选用范围为200-1100nm；碳化硅基板的波长选用范围为100-1000nm。
3.如权利要求1所述的晶圆缺陷检测对位装置，其特征在于：光源装置的位置位于样品的上方或下方。
4.如权利要求1所述的晶圆缺陷检测对位装置，其特征在于：影像撷取装置位于光源装置一侧，且与光源装置相对位置固定，未有相对位置的移动。
5.如权利要求1所述的晶圆缺陷检测对位装置，其特征在于：检测平台为可透光设计。
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