[发明专利]一种图形化复合衬底、制备方法及LED外延片

权利要求书

1.一种图形化复合衬底，其特征在于，包括：

图形化基板，所述图形化基板表面蚀刻有微结构；

单晶三氧化二铝薄膜，所述单晶三氧化二铝薄膜均匀覆盖在所述微结构上；

所述图形化基板的蚀刻速率高于三氧化二铝的蚀刻速率，和/或所述图形化基板的热导率高于三氧化二铝的热导率。

2.根据权利要求1所述的图形化复合衬底，其特征在于，所述单晶三氧化二铝薄膜的厚度在50-1000nm。

3.根据权利要求1所述的图形化复合衬底，其特征在于，所述微结构包括圆锥体、多边形椎体、椭圆锥体、圆柱、圆台中的至少一种。

4.根据权利要求1所述的图形化复合衬底，其特征在于，所述图形化基板的材质为氧化物、氮化物、碳化物和金属单质中的至少一种。

5.一种图形化复合衬底的制备方法，其特征在于，包括：

提供一基板，所述基板的蚀刻速率高于三氧化二铝的蚀刻速率，和/或所述基板的热导率高于三氧化二铝的热导率；

在所述基板表面蚀刻微结构，形成图形化基板；

在所述图形化基板表面形成金属铝薄膜，所述金属铝薄膜均匀覆盖在所述微结构上；

对所述金属铝薄膜进行氧化热处理，将所述金属铝薄膜转化为单晶三氧化二铝薄膜。

6.根据权利要求5所述的图形化复合衬底的制备方法，其特征在于，对所述金属铝薄膜进行氧化热处理，将所述金属铝薄膜转化为单晶三氧化二铝薄膜，包括：

对所述金属铝薄膜进行低温氧化热处理，形成多晶三氧化二铝薄膜；

对所述多晶三氧化二铝薄膜进行高温氧化热处理，形成单晶三氧化二铝薄膜。

7.根据权利要求6所述的图形化复合衬底的制备方法，其特征在于，所述低温氧化热处理的温度在200-500℃，时间为12-36h。

8.根据权利要求6所述的图形化复合衬底的制备方法，其特征在于，所述高温氧化热处理的温度在1000-1500℃，时间为6-36h。

9.根据权利要求5所述的图形化复合衬底的制备方法，其特征在于，在所述基板表面蚀刻微结构，形成图形化基板，包括：

在所述基板表面涂覆聚合物胶层；

采用光刻工艺或纳米压印工艺对所述聚合物胶层进行图案化，形成聚合物掩膜；

根据所述聚合物掩膜，对所述基板蚀刻，在所述基板表面形成微结构。

10.一种LED外延片，其特征在于，包括如权利要求1-4任一项所述的图形化复合衬底。