[发明专利]校准电路以及包括其的半导体装置有效
| 申请号: | 201911004741.6 | 申请日: | 2019-10-22 |
| 公开(公告)号: | CN111581142B | 公开(公告)日: | 2023-07-28 |
| 发明(设计)人: | 安正一 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号: | G06F13/40 | 分类号: | G06F13/40;H03K19/00 |
| 代理公司: | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人: | 许伟群;阮爱青 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 校准 电路 以及 包括 半导体 装置 | ||
1.一种校准电路,包括:
参考电阻器分支,其通过参考电阻器节点耦接到外部参考电阻器,并且被配置为基于校准码来改变所述参考电阻器节点的电压电平;
校准码发生电路,其被配置为通过将所述参考电阻器节点的电压电平与参考电压进行比较来产生电压检测信号和所述校准码;以及
加重电路,其被配置为:当所述参考电阻器分支改变所述参考电阻器节点的电压电平时,基于所述校准码和所述电压检测信号来改变所述参考电阻器节点的电压电平。
2.根据权利要求1所述的校准电路,其中,所述校准码发生电路基于将所述参考电阻器节点的电压电平与所述参考电压进行比较的结果来转变所述电压检测信号的逻辑电平并且增大或减少所述校准码的码值。
3.根据权利要求1所述的校准电路,其中,所述加重电路包括:
加重控制信号发生器,其被配置为基于所述校准码来产生加重控制信号;以及
加重驱动器,其被配置为基于所述电压检测信号和所述加重控制信号来改变所述参考电阻器节点的电压电平。
4.根据权利要求3所述的校准电路,其中,所述加重控制信号发生器通过检测所述校准码的比特位的转变来将所述加重控制信号使能。
5.根据权利要求3所述的校准电路,其中,当所述参考电阻器节点的电压电平低于所述参考电压时,所述加重驱动器基于所述电压检测信号和所述加重控制信号来升高所述参考电阻器节点的电压电平,而当所述参考电阻器节点的电压电平高于所述参考电压时,所述加重驱动器基于所述电压检测信号和所述加重控制信号来降低所述参考电阻器节点的电压电平。
6.根据权利要求3所述的校准电路,其中,所述加重驱动器包括:
上拉加重驱动器,其被配置为基于所述电压检测信号和所述加重控制信号的互补信号来升高所述参考电阻器节点的电压电平;以及
下拉加重驱动器,其被配置为基于所述电压检测信号和所述加重控制信号来降低所述参考电阻器节点的电压电平。
7.根据权利要求6所述的校准电路,
其中,所述外部参考电阻器耦接在第一电源电压的端子与所述参考电阻器节点之间,并且所述参考电阻器分支耦接在所述参考电阻器节点与接地电压的端子之间,以及
其中,所述上拉加重驱动器耦接在第二电源电压的端子与所述参考电阻器节点之间,并且所述下拉加重驱动器耦接在所述参考电阻器节点与所述接地电压的端子之间。
8.根据权利要求7所述的校准电路,其中,所述第二电源电压具有高于所述第一电源电压的电压电平。
9.一种校准电路,包括:
参考电阻器分支,其通过参考电阻器节点耦接到外部参考电阻器,并且被配置为基于校准码来改变所述参考电阻器节点的电压电平;
校准码发生电路,其被配置为通过同步于时钟信号来将所述参考电阻器节点的电压电平与参考电压进行比较来产生电压检测信号和所述校准码;
加重控制信号发生器,其被配置为基于所述校准码来产生加重控制信号;以及
加重驱动器,其被配置为基于所述加重控制信号来改变所述参考电阻器节点的电压电平。
10.根据权利要求9所述的校准电路,其中,所述校准码发生电路基于将所述参考电阻器节点的电压电平与所述参考电压进行比较的结果来转变所述电压检测信号的逻辑电平并且增大或减小所述校准码的码值。
11.根据权利要求9所述的校准电路,其中,所述加重控制信号发生器通过检测所述校准码的比特位的转变来将所述加重控制信号使能。
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