[发明专利]一种自适应带宽调整电路在审
申请号: | 201911004079.4 | 申请日: | 2019-10-22 |
公开(公告)号: | CN110677134A | 公开(公告)日: | 2020-01-10 |
发明(设计)人: | 宁虞东 | 申请(专利权)人: | 成都共源科技有限公司 |
主分类号: | H03F1/42 | 分类号: | H03F1/42;H03G3/30 |
代理公司: | 51232 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) | 代理人: | 葛启函 |
地址: | 610000 四川省成都市高*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 放大信号 高频增益 自适应带宽调整 电路输入信号 带宽调整 低频增益 检波电路 放大 检波 低频分量 高频分量 实时响应 中低频 中高频 减去 超调 叠加 带宽 电路 输出 | ||
1.一种自适应带宽调整电路,其特征在于,包括低频增益级、高频增益级、检波电路和比较电路,
所述低频增益级的输入端连接所述自适应带宽调整电路的输入信号,其输出端输出将所述自适应带宽调整电路输入信号的低频分量放大后得到的第一放大信号;
所述高频增益级的输入端连接所述自适应带宽调整电路的输入信号,其输出端输出将所述自适应带宽调整电路输入信号的高频分量放大后得到的第二放大信号;
所述检波电路包括至少一个检波模块,所述检波模块的输入端连接所述第一放大信号和第二放大信号,用于将所述第一放大信号和第二放大信号进行叠加后放大得到第三放大信号,所述检波模块的第一输出端连接所述检波电路的第一输出端并输出所述第三放大信号中低频分量减去设定阈值后的峰值,所述检波模块的第二输出端连接所述检波电路的第二输出端并输出所述第三放大信号中高频分量的峰值;
所述比较电路用于比较所述检波电路两个输出端的输出信号,并根据比较结果控制所述高频增益级的增益,当检测到所述检波电路第一输出端的输出信号大于所述检波电路第二输出端的输出信号时提高所述高频增益级的增益,当检测到所述检波电路第一输出端的输出信号小于所述检波电路第二输出端的输出信号时降低所述高频增益级的增益,直到所述检波电路两个输出端的输出信号相等。
2.根据权利要求1所述的自适应带宽调整电路,其特征在于,所述比较电路包括第二放大器、第三放大器、第十四电阻、第十五电阻、第十六电阻和第十七电阻,
第二放大器的正向输入端连接所述检波电路的第二输出端并通过第十五电阻后连接电源电压,其负向输入端连接所述检波电路的第一输出端并通过第十四电阻后连接电源电压,其输出端连接第三放大器的正向输入端;
第三放大器的负向输入端连接第二基准电压,其正向输出端输出所述比较电路的正向输出信号并连接第十七电阻的一端,其负向输出端输出所述比较电路的负向输出信号并通过第十六电阻后连接第十七电阻的另一端。
3.根据权利要求2所述的自适应带宽调整电路,其特征在于,所述低频增益级包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第一恒流源、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管和第四NMOS管,
第一NMOS管的栅极作为所述低频增益级的正向输入端,其源极连接第一电阻的一端,其漏极连接第三NMOS管的源极;
第二NMOS管的栅极作为所述低频增益级的负向输入端,其源极连接第二电阻的一端,其漏极连接第四NMOS管的源极;
第一电阻的另一端连接第二电阻的另一端并通过第一恒流源后接地;
第三NMOS管的栅极连接第四NMOS管的栅极并连接所述比较电路中第十六电阻和第十七电阻的连接点,其漏极作为所述低频增益级的负向输出端并通过第三电阻后连接电源电压;
第四NMOS管的漏极作为所述低频增益级的正向输出端并通过第四电阻后连接电源电压。
4.根据权利要求2所述的自适应带宽调整电路,其特征在于,所述高频增益级包括第五电阻、第一电容、第五NMOS管、第六NMOS管、第七NMOS管、第八NMOS管、第九NMOS管、第十NMOS管、第二恒流源和第三恒流源,
第五NMOS管的栅极作为所述高频增益级的正向输入端,其源极连接第一电容的一端并通过第二恒流源后接地,其漏极连接第七NMOS管和第八NMOS管的源极;
第六NMOS管的栅极作为所述高频增益级的负向输入端,其源极连接第一电容的另一端并通过第三恒流源后接地,其漏极连接第九NMOS管和第十NMOS管的源极;
第七NMOS管的栅极连接第九NMOS管的栅极和所述比较电路的负向输出信号,其漏极作为所述高频增益级的负向输出端;
第八NMOS管的栅极连接第十NMOS管的栅极和所述比较电路的正向输出信号,其漏极连接第十NMOS管的漏极并通过第五电阻后连接电源电压;
第九NMOS管的漏极作为所述高频增益级的正向输出端;
通过设置所述比较电路中第二基准电压的电压值和第三放大器OP3的增益,使得满足所述高频增益级中第七NMOS管M7和第八NMOS管M8支路的电流均从第八NMOS管M8流过,第九NMOS管M9和第十NMOS管M10支路的电流均从第十NMOS管M10流过。
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