[发明专利]一种高亮度正装LED结构及制作方法有效
| 申请号： | 201911002505.0 | 申请日： | 2019-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN110707192B | 公开（公告）日： | 2021-05-11 |
| 发明（设计）人： | 许晏铭;彭钰仁 | 申请（专利权）人： | 扬州乾照光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 纪志超 |
| 地址： | 225101*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 亮度 led 结构 制作方法 | ||
1.一种高亮度正装LED结构的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：
提供一衬底；
在所述衬底上形成外延层；
对所述外延层背离所述衬底的表面进行粗化处理，且预留出电极区域；
在粗化处理的表面上依次形成相对应粗化结构的高掺杂GaP层和透明导电层；
在所述电极区域上形成电极结构。
2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述粗化处理为将所述外延层背离所述衬底的表面制成粗化面。
3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述粗化处理为对所述外延层背离所述衬底的表面进行刻蚀处理，形成三维孔洞结构。
4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述粗化处理为在所述外延层背离所述衬底的表面生长多个三维凸起结构。
5.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述外延层包括：
依次设置在所述衬底上的N型半导体层、多量子阱层和P型半导体层；
其中，所述P型半导体层背离所述多量子阱层的表面进行粗化处理，且预留出电极区域。
6.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述N型半导体层的材料为AlGaInP材料或AlGaAs材料或其它Ⅲ-Ⅴ族复合材料。
7.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述P型半导体层的材料为GaP材料或AlGaAs材料或其它Ⅲ-Ⅴ族复合材料。
8.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述衬底的材料为GaAs材料。
9.一种高亮度正装LED结构，其特征在于，所述高亮度正装LED结构包括：
衬底；
设置在所述衬底上的外延层，其中，所述外延层背离所述衬底的表面经过粗化处理，且预留出电极区域；
依次设置在所述粗化处理后的表面上的具有相对应粗化结构的高掺杂GaP层和透明导电层；
设置在所述电极区域的电极结构。
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