[发明专利]二维铌酸锶纳米片紫外光电晶体管探测器有效
申请号: | 201911002104.5 | 申请日: | 2019-10-21 |
公开(公告)号: | CN110808294B | 公开(公告)日: | 2021-07-23 |
发明(设计)人: | 方晓生;李思远 | 申请(专利权)人: | 复旦大学 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/032;H01L31/0352;H01L31/11;H01L31/18 |
代理公司: | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人: | 陆飞;陆尤 |
地址: | 200433 *** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 二维 铌酸锶 纳米 紫外 光电晶体管 探测器 | ||
1.一种二维铌酸锶纳米片紫外光电晶体管探测器的制备方法,其特征在于,
该探测器包括:
SiO2/Si衬底;
旋涂分散于SiO2/Si衬底上的铌酸锶纳米片,用于实现紫外光探测;
与纳米片上表面接触的铬-金电极,用于进行载流子收集;
具体步骤如下:
(1)铌酸锶纳米片制备,其步骤为:99.9%纯度的固态Cs2CO3、SrCO3和Nb2O5粉末,按照摩尔比1:(1.5-2.5):(2.5-3.5)混合研磨0.5-6小时,在1150~1400℃下高温烧结6-48小时,产物随炉冷却;将所得产物与1~5mol/L盐酸混合,进行离子交换3~7天,之后以超纯水洗涤产物并烘干;将所得产物与等摩尔比的四丁基氢氧化铵混合,用多用振荡器在室温下震荡7~14天,离心,得剥离完成的铌酸锶纳米片;
(2)铬-金电极的制备,其步骤为:清洗SiO2/Si衬底表面,并将衬底吹干;将步骤(1)所得铌酸锶纳米片旋涂分散于衬底表面;定位纳米片后,旋涂光刻胶,利用紫外光刻在铌酸锶纳米片上表面制备电极图案,以电子束蒸发或热蒸发法沉积铬-金接触电极层,电极厚度为30nm~60 nm,去除光刻胶并烘干,即得铌酸锶纳米片光电晶体管。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于复旦大学,未经复旦大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201911002104.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的