[发明专利]二维铌酸锶纳米片紫外光电晶体管探测器有效

专利信息
申请号: 201911002104.5 申请日: 2019-10-21
公开(公告)号: CN110808294B 公开(公告)日: 2021-07-23
发明(设计)人: 方晓生;李思远 申请(专利权)人: 复旦大学
主分类号: H01L31/0224 分类号: H01L31/0224;H01L31/032;H01L31/0352;H01L31/11;H01L31/18
代理公司: 上海正旦专利代理有限公司 31200 代理人: 陆飞;陆尤
地址: 200433 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 二维 铌酸锶 纳米 紫外 光电晶体管 探测器
【权利要求书】:

1.一种二维铌酸锶纳米片紫外光电晶体管探测器的制备方法,其特征在于,

该探测器包括:

SiO2/Si衬底;

旋涂分散于SiO2/Si衬底上的铌酸锶纳米片,用于实现紫外光探测;

与纳米片上表面接触的铬-金电极,用于进行载流子收集;

具体步骤如下:

(1)铌酸锶纳米片制备,其步骤为:99.9%纯度的固态Cs2CO3、SrCO3和Nb2O5粉末,按照摩尔比1:(1.5-2.5):(2.5-3.5)混合研磨0.5-6小时,在1150~1400℃下高温烧结6-48小时,产物随炉冷却;将所得产物与1~5mol/L盐酸混合,进行离子交换3~7天,之后以超纯水洗涤产物并烘干;将所得产物与等摩尔比的四丁基氢氧化铵混合,用多用振荡器在室温下震荡7~14天,离心,得剥离完成的铌酸锶纳米片;

(2)铬-金电极的制备,其步骤为:清洗SiO2/Si衬底表面,并将衬底吹干;将步骤(1)所得铌酸锶纳米片旋涂分散于衬底表面;定位纳米片后,旋涂光刻胶,利用紫外光刻在铌酸锶纳米片上表面制备电极图案,以电子束蒸发或热蒸发法沉积铬-金接触电极层,电极厚度为30nm~60 nm,去除光刻胶并烘干,即得铌酸锶纳米片光电晶体管。

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