[发明专利]一种TEM样品以及制备TEM样品的方法有效

专利信息
申请号: 201911001966.6 申请日: 2019-10-21
公开(公告)号: CN110554063B 公开(公告)日: 2021-10-12
发明(设计)人: 邹锭 申请(专利权)人: 长江存储科技有限责任公司
主分类号: G01N23/04 分类号: G01N23/04;G01N1/28;G01N23/20008
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 杨华
地址: 430074 湖北省武汉市洪山区东*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 一种 tem 样品 以及 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种制备TEM样品的方法,其特征在于,包括:

在待制备样品上形成保护层;

沿所述保护层的两侧向所述待制备样品的中间部分减薄,并在其中一侧减薄至预设条件时,逐步缩小加工区域,以通过在墩子和薄区之间保留阶梯状的过渡区域来形成厚度均匀的薄区;

其中,所述墩子位于所述薄区的两端,所述过渡区域的阶梯状部分位于所述薄区的减薄一侧。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述预设条件包括:所述保护层的中间区域出现凹陷。

3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,判断所述保护层的中间区域是否出现凹陷包括:

判断所述薄区的厚度是否达到预设厚度;

若是,逐步缩小加工区域。

4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,当所述待制备样品为三维存储器时,所述预设厚度的范围为150nm~250nm。

5.一种TEM样品,其特征在于,应用权利要求1至4任一项所述的方法制备而成,包括:

薄区和墩子,所述墩子位于所述薄区的两端,所述薄区与所述墩子之间具有阶梯状的过渡区域;

其中,所述过渡区域的阶梯状的部分位于所述薄区的减薄一侧,并且,在减薄方向上,所述阶梯状部分的宽度逐步增大。

6.一种制备TEM样品的方法,其特征在于,包括:

在待制备样品上形成保护层;

沿所述保护层的两侧向所述待制备样品的中间部分减薄,并在每一侧减薄至预设条件时,逐步缩小加工区域,以通过在墩子和薄区之间保留阶梯状的过渡区域来形成厚度均匀的薄区;

其中,所述墩子位于所述薄区的两端,所述过渡区域的阶梯状部分位于所述薄区的减薄两侧。

7.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,所述预设条件包括:所述保护层的中间区域出现凹陷。

8.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,判断所述保护层的中间区域是否出现凹陷包括:

判断所述薄区的厚度是否达到预设厚度;

若是,逐步缩小加工区域。

9.根据权利要求8所述的方法,其特征在于,当所述待制备样品为三维存储器时,所述预设厚度的范围为150nm~250nm。

10.一种TEM样品,其特征在于,应用权利要求6至9任一项所述的方法制备而成,包括:

薄区和墩子,所述墩子位于所述薄区的两端,所述薄区与所述墩子之间具有阶梯状的过渡区域;

其中,所述过渡区域的阶梯状部分位于所述薄区的减薄两侧,并且,在任一减薄方向上,所述阶梯状部分的宽度逐步增大。

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