[发明专利]面向激光测距系统的一种跨阻放大器架构在审
申请号: | 201911000737.2 | 申请日: | 2019-10-21 |
公开(公告)号: | CN110794384A | 公开(公告)日: | 2020-02-14 |
发明(设计)人: | 叶茂;郑肖肖;赵毅强 | 申请(专利权)人: | 天津大学 |
主分类号: | G01S7/4861 | 分类号: | G01S7/4861;H03F3/10 |
代理公司: | 12107 天津市三利专利商标代理有限公司 | 代理人: | 韩新城 |
地址: | 300072*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 结构电流 缓冲级 对称 可选 跨阻放大器 输入端连接 输出端 激光测距系统 电流输出端 输出缓冲级 电路提供 合适幅度 后级电路 基准电路 两级结构 偏置电流 偏置电压 第一级 高增益 连接带 弱电流 探测器 宽带 放大 架构 传递 响应 检测 保证 | ||
1.面向激光测距系统的一种跨阻放大器架构,其特征在于,包括两级结构,第一级是两个对称的RGC结构电流缓冲级,第二级是可选增益的TIA,两个对称的RGC结构电流缓冲级的输入与APD探测器的电流输出端连接,两个对称的RGC结构电流缓冲级的输出端与可选增益TIA的输入端连接,可选增益TIA的输出端与负载--输出缓冲级的输入端连接;其中,两个对称的RGC结构电流缓冲级连接带隙基准电路,为电路提供稳定的偏置电流和偏置电压。
2.根据权利要求1所述面向激光测距系统的一种跨阻放大器架构,其特征在于,所述两个对称的RGC结构电流缓冲级,包括第一RGC结构电流缓冲级以及第二RGC结构电流缓冲级,以及共源共栅电流镜:
第一RGC结构电流缓冲级包括用于镜像支路电流的由PMOS管PM4、PM5、PM6构成的电流镜,由NMOS管NM7、NM8和电阻R2构成的RGC结构,交流电源I1输出的暗电流I2和电容C2等效无光电流时APD探测器输出;PMOS管PM4、PM5、PM6的源极接VDD,PMOS管PM4的漏极接NMOS管NM7漏极并与PMOS管PM4、PM6的栅极连接,PMOS管PM5的漏极与栅极连接后与NMOS管NM8的源极、NMOS管NM7的栅极连接,PMOS管PM6的漏极接电流输出端Iin,NMOS管NM7的源极接NMOS管NM8的栅极,并与并联的电容C2、电阻R2的一端连接,NMOS管NM8的漏极与电容C2、电阻R2的另一端连接;
第二RGC结构电流缓冲级包括用于镜像支路电流的由PMOS管PM1、PM2、PM3构成的电流镜,由NMOS管NM1、NM2和电阻R1构成的RGC结构,并联的交流电源I1和电容C1等效形成光电流时APD探测器输出,交流电流源I1包括暗电流I2和光电流Is,接APD探测器输出;PMOS管PM1、PM2、PM3的源极接VDD,PMOS管PM1的漏极接NMOS管NM1漏极并与PMOS管PM2、PM3的栅极连接,PMOS管PM2的漏极与栅极连接后与NMOS管NM2的源极、NMOS管NM1的栅极连接,NMOS管NM1的源极接NMOS管NM2的栅极,并与并联的电容C1、电阻R1的一端连接,NMOS管NM2的漏极与电容C1、电阻R1的另一端连接;
共源共栅电流镜包括NMOS管NM3、NM4、NM5、NM6,NMOS管NM3、NM4的栅极连接后接偏置电压VBO,NMOS管NM3源极与NM5漏极连接,NMOS管NM3漏极与PMOS管PM3的漏极连接,NMOS管NM4的漏极接电流输出端Iin、源极接NMOS管NM6漏极,NMOS管NM6源极以及NMOS管NM5源极均与NMOS管NM2的漏极连接,NMOS管NM5、NM6的栅极相接后与NMOS管NM3漏极相接。
3.根据权利要求1所述面向激光测距系统的一种跨阻放大器架构,其特征在于,所述可选增益的TIA包括:
PM7、NM9、NM12和PM8、NM10、NM13构成两级级联的二极管作为负载的反相放大器,实现输入信号的放大;Rf、Cf,R2、C2和时钟信号GAIN2控制的开关传输管,R1、C1和时钟信号GAIN1控制的开关传输管作为可变增益级,通过控制时钟信号GAIN1和GAIN2实现传输管的导通或断开,进而改变阻值大小,实现改变TIA的增益大小;
其中,PMOS管PM7的栅极与NMOS管NM9的栅极连接后与电流输入端Iin连接,PMOS管PM7的栅极与NMOS管NM9的漏极连接后通过一个接点A与PMOS管PM8、NMOS管NM10的栅极连接线上一个接点B连接,PMOS管PM8、NMOS管NM10的漏极相接后与输出端VOUT相接,PMOS管PM7的源极接PMOS管PM8的源极,NMOS管NM9的源极与NMOS管NM10、NMOS管NM12、NMOS管NM13的源极连接,NMOS管NM12的漏极与其栅极相接后与接点A、B间的连线连接,NMOS管NM13的漏极接其栅极相接后与输出端VOUT相接;
电阻Rf、电容Cf并联后一端与电流输入端Iin连接,另一端与输出端VOUT相接,电阻R1、电容C1并联后一端经开关传输管与电流输入端Iin连接,另一端与输出端VOUT相接,电阻R2、电容C2并联后一端经另一个开关传输管与电流输入端Iin连接,另一端与输出端VOUT相接,两个开关传输管的各自的两个栅极分别时候信号GAIN1、GAIN2连接;
当GAIN1为高电平,GAIN1_N为低电平,由GAIN1控制的开关传输管闭合,GAIN2为低电平,GAIN2_N为高电平,由GAIN2控制的开关传输管断开,第二级的增益为R1与Rf的并联;同理,当GAIN1为低电平,GAIN1_N为高电平,由GAIN1控制的开关传输管断开,GAIN2为高电平,GAIN2_N为低电平,由GAIN2控制的开关传输管闭合,第二级的增益为R2与Rf的并联;当GAIN1为高电平,GAIN1_N为低电平,由GAIN1控制的开关传输管闭合,GAIN2为高电平,GAIN2_N为低电平,由GAIN2控制的开关传输管闭合,第二级的增益为R1、R2与Rf的并联。
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