[发明专利]PVAm改性OHP薄膜的应用、聚合物钙钛矿RRAM器件及其制备方法有效
申请号: | 201911000338.6 | 申请日: | 2019-10-21 |
公开(公告)号: | CN110707212B | 公开(公告)日: | 2022-07-26 |
发明(设计)人: | 张丽;刘应良;曹小飞;曹少魁;徐慎刚;石军 | 申请(专利权)人: | 郑州大学 |
主分类号: | H01L45/00 | 分类号: | H01L45/00 |
代理公司: | 郑州豫乾知识产权代理事务所(普通合伙) 41161 | 代理人: | 任伟柯 |
地址: | 450000 河南省郑*** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | pvam 改性 ohp 薄膜 应用 聚合物 钙钛矿 rram 器件 及其 制备 方法 | ||
1.PVAm改性OHP薄膜在聚合物钙钛矿RRAM器件中的应用,其特征在于,所述PVAm改性OHP薄膜采用以下方法得到:先将聚乙烯胺卤酸盐PVAm·HX、甲基卤化胺MAX和金属卤化物加入到有机溶剂中混合得到钙钛矿前驱体溶液;再旋涂退火处理即得;所述金属卤化物为PbX2或SnX2或CuX2,其中,X为Cl-、Br-或I-。
2.如权利要求1所述的应用,其特征在于,制备PVAm改性OHP薄膜的体系中MAX和PVAm·HX中的氨基总数与金属卤化物摩尔量相等,其中,PVAm·HX中氨基的摩尔分数为1-50%。
3.如权利要求1所述的应用,其特征在于,所述有机溶剂为DMF和DMSO的混合物。
4.聚合物钙钛矿 RRAM器件,其特征在于,所述器件包括钙钛矿薄膜层,所述钙钛矿薄膜层为PVAm改性OHP薄膜;所述PVAm改性OHP薄膜采用以下方法得到:先将聚乙烯胺卤酸盐PVAm·HX、甲基卤化胺MAX和金属卤化物加入到有机溶剂中混合得到钙钛矿前驱体溶液;再旋涂退火处理即得;所述金属卤化物为PbX2或SnX2或CuX2,其中,X为Cl-、Br-或I-。
5.如权利要求4所述的聚合物钙钛矿RRAM器件,其特征在于,所述聚合物钙钛矿RRAM器件的结构为:Al/P/ITO/PET或Al/P/ITO,其中P为PVAm改性OHP薄膜。
6.权利要求5所述聚合物钙钛矿RRAM器件的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:1)在ITO玻璃基板或ITO/PET上制备PVAm改性OHP薄膜;2)在PVAm改性OHP薄膜表面通过使用掩模版真空气相沉积顶电极Al即可。
7.如权利要求6所述的聚合物钙钛矿RRAM器件的制备方法,其特征在于,步骤1)中,在制备PVAm改性OHP薄膜过程中将甲苯滴到ITO玻璃中心。
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