[发明专利]一种多芯片模块有效
申请号: | 201911000113.0 | 申请日: | 2019-10-21 |
公开(公告)号: | CN112768426B | 公开(公告)日: | 2022-07-26 |
发明(设计)人: | 赵洋;刘鑫 | 申请(专利权)人: | 苏州能讯高能半导体有限公司 |
主分类号: | H01L23/495 | 分类号: | H01L23/495;H01L23/498;H01L25/16 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 孟金喆 |
地址: | 215300 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 芯片 模块 | ||
1.一种多芯片模块,其特征在于,包括:
基底;
位于所述基底上的中央引线框和多个外围引线框,所述外围引线框位于所述中央引线框的至少一侧;
至少一个多层电路板,所述多层电路板包括至少三层走线层,所述多层电路板的顶层表贴有多个独立无源器件,所述多层电路板装贴于部分所述中央引线框和至少部分所述外围引线框上;所述多层电路板的顶层设置有多个第一孤立覆铜结构,所述第一孤立覆铜结构用于为所述独立无源器件提供表贴电连接点;
装贴于所述中央引线框上的有源器件,所述有源器件键合至所述多层电路板;
所述多层电路板的顶层还设置有多个第二孤立覆铜结构,所述第二孤立覆铜结构用于为所述有源器件提供键合电连接点;
所述多层电路板的顶层还设置有接入电源信号的第二图案化覆铜结构,所述第二图案化覆铜结构包围所述第一孤立覆铜结构和所述第二孤立覆铜结构设置,所述第二图案化覆铜结构、所述第一孤立覆铜结构和所述第二孤立覆铜结构两两电绝缘;
所述多层电路板的底层装贴于所述中央引线框的区域设置有接入所述电源信号的第三图案化覆铜结构。
2.根据权利要求1所述的多芯片模块,其特征在于,所述多层电路板的底层装贴于所述外围引线框的区域设置有第一图案化覆铜结构,所述多层电路板通过所述第一图案化覆铜结构与所述外围引线框电连接。
3.根据权利要求2所述的多芯片模块,其特征在于,所述多层电路板的中间层形成有电路网络,所述电路网络的外接节点通过过孔与所述第一图案化覆铜结构电连接。
4.根据权利要求1所述的多芯片模块,其特征在于,所述多层电路板的中间层形成有电路网络,所述第一孤立覆铜结构以及所述第二孤立覆铜结构均通过过孔与所述电路网络的对应节点电连接。
5.根据权利要求1所述的多芯片模块,其特征在于,所述第二图案化覆铜结构通过过孔与所述第三图案化覆铜结构电连接。
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