[发明专利]半导体存储装置

权利要求书

1.一种半导体存储装置，其特征在于包括：

第一存储串，包含第一存储单元和第二存储单元；

第二存储串，包含第三存储单元；

比特线，既连接到所述第一存储串的一端，也连接到所述第二存储串的一端；

第一字线，连接到所述第一和第三存储单元的栅极；

第二字线，连接到所述第二存储单元的栅极；及

控制电路，配置为判定已被选择用于写入操作的所述第一存储单元的编程条件，并基于所述第一存储单元的所述编程条件执行对所述第三存储单元的所述写入操作。

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于：

所述控制电路配置为：当所述装置在接收针对所述第三存储单元的写入命令之前接收第一命令和第一地址、并且所述第一地址对应于所述第一存储单元时，判定所述第一存储单元的编程条件。

3.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于：

所述控制电路包含第一寄存器，并且所述控制电路能够将所述编程条件保持在所述第一寄存器中。

4.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于：

所述控制电路通过向所述第一存储单元连续施加增加的编程电压、直到存储单元的栅极共同连接到所述第一存储单元的栅极的最小数量的所述存储单元通过编程验证，来判定所述编程条件。

5.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于：

要写入所述第一存储单元的数据包含下位页面数据和上位页面数据；及

所述控制电路读取所述编程条件，并使用所述编程条件写入所述下位页面数据和所述上位页面数据。

6.根据权利要求5所述的半导体存储装置，其特征在于：

用于写入所述下部页面数据的所述编程条件与用于写入所述上部页面数据的所述编程条件不同。

7.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于：

所述第一存储串还包含第一选择晶体管；

所述第二存储串还包含第二选择晶体管；且

所述控制电路被配置为独立地控制所述第一和第二选择晶体管的栅极。

8.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于：

所述控制电路被配置为连续执行多个写入操作，所述写入操作包含第一写入操作、第二写入操作和第三写入操作，所述第一写入操作对应于对所述第一存储单元的写入操作，所述第二写入操作对应于对所述第三存储单元的写入操作，所述第三写入操作对应于对所述第二存储单元的写入操作。

9.一种存储系统，其特征在于包括：

存储装置，包含：

第一存储串，包含第一存储单元和第二存储单元；

第二存储串，包含第三存储单元；

比特线，既连接到所述第一存储串的一端，也连接到所述第二存储串的一端；

第一字线，连接到所述第一和第三存储单元的栅极；

第二字线，连接到所述第二存储单元的栅极；及

第一控制器，配置为当所述装置在接收针对所述第三存储单元的写入命令之前接收第一命令和第一地址时，判定所述第一存储单元的编程条件，且所述第一地址对应于所述第一存储单元，所述第一控制器配置为基于所述第一存储单元的所述编程条件对所述第三存储单元执行所述写入操作；

第二控制器，配置为在接收针对所述第三存储单元的所述写入命令之前输出所述第一命令和所述第一地址。

10.根据权利要求9所述的存储系统，其特征在于：

所述第一控制器包含第一寄存器，并且所述第一控制器能够将所述编程条件保持在所述第一寄存器中。

11.根据权利要求9所述的存储系统，其特征在于：

所述第一控制器通过向所述第一存储单元连续施加增加的编程电压、直到存储单元的栅极共同连接到所述第一存储单元的栅极的最小数量的所述存储单元通过编程验证，来判定所述编程条件。