[发明专利]低压差线性稳压器的误差放大器以及低压差线性稳压器有效

专利信息
申请号: 201910994415.8 申请日: 2019-10-18
公开(公告)号: CN112684846B 公开(公告)日: 2022-10-14
发明(设计)人: 林宇 申请(专利权)人: 圣邦微电子(北京)股份有限公司
主分类号: G05F3/26 分类号: G05F3/26;H03F3/45
代理公司: 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 代理人: 蔡纯;高青
地址: 100089 北京市海淀*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 低压 线性 稳压器 误差 放大器 以及
【权利要求书】:

1.一种低压差线性稳压器的误差放大器,所述误差放大器用于根据所述低压差线性稳压器的输出电压与基准电压之间的电压差驱动功率晶体管,以将供电端提供的电源电压转换成输出端的输出电压,

其中,所述误差放大器包括:

放大模块,包括输入级和共源共栅放大级,所述输入级接收所述输出电压和所述基准电压,所述共源共栅放大级用于与所述输入级相连接,用于输出所述输出电压和所述基准电压之间的误差信号;

下冲抑制模块,包括串联连接于所述供电端和地之间的第一晶体管和第二晶体管,以及连接于所述功率晶体管的控制端和地之间的第三晶体管,所述第二晶体管与所述第三晶体管构成电流镜,所述第一晶体管的控制端与所述共源共栅放大级连接于第一节点,

其中,当所述输出电压小于所述基准电压时,所述第一节点的电压被迅速拉低,当所述第一节点的电压与所述电源电压之间的电压差高于所述第一晶体管的阈值电压时,所述第一晶体管导通,经由所述电流镜将所述功率晶体管的控制端电压拉低。

2.根据权利要求1所述的误差放大器,其特征在于,所述输入级包括第四晶体管、第五晶体管以及一电流源,

所述第四晶体管和所述第五晶体管的第一端连接至所述共源共栅放大级,

所述第四晶体管和所述第五晶体管的第二端与所述电流源的第一端连接,所述电流源的第二端连接接地,

所述第四晶体管的控制端用于接收所述输出电压,所述第五晶体管的控制端用于接收所述基准电压。

3.根据权利要求2所述的误差放大器,其特征在于,所述共源共栅放大级包括:

串联连接于所述供电端和地之间的第六晶体管、第七晶体管、第八晶体管以及第九晶体管;以及

串联连接于所述供电端和地之间的第十晶体管、第十一晶体管、第十二晶体管以及第十三晶体管,

其中,所述第六晶体管和所述第十晶体管构成电流镜,所述第七晶体管和所述第十一晶体管的控制端相互连接,

所述第八晶体管和所述第十二晶体管的控制端相互连接,并接收第一偏置电压,

所述第九晶体管和所述第十三晶体管的控制端相互连接,并接收第二偏置电压,

所述第六晶体管和所述第七晶体管的中间节点与所述第四晶体管的第一端连接,所述第十晶体管和所述第十一晶体管的中间节点与所述第五晶体管的第一端连接,

所述第十晶体管和所述第十一晶体管的中间节点与所述下冲抑制模块连接于所述第一节点,

所述第十一晶体管和所述第十二晶体管的中间节点用于提供所述误差信号。

4.根据权利要求1所述的误差放大器,其特征在于,所述第一晶体管选自P型的金属氧化物半导体场效应晶体管,

所述第二晶体管和所述第三晶体管分别选自N型的金属氧化物半导体场效应晶体管。

5.根据权利要求3所述的误差放大器,其特征在于,所述第四晶体管、所述第五晶体管、所述第八晶体管、所述第九晶体管、所述第十二晶体管以及所述第十二晶体管分别选自N型的金属氧化物半导体场效应晶体管,

所述第六晶体管、所述第七晶体管、所述第十晶体管以及所述第十一晶体管分别选自P型的金属氧化物半导体场效应晶体管。

6.一种低压差线性稳压器,其特征在于,包括:

串联连接在供电端和输出端之间的功率晶体管;以及权利要求1-5任一项所述的误差放大器。

7.根据权利要求6所述的低压差线性稳压器,其特征在于,还包括连接在所述误差放大器的输出端与所述功率晶体管的控制端之间的缓冲器。

8.根据权利要求7所述的低压差线性稳压器,其特征在于,所述缓冲器为源跟随器或CMOS缓冲器。

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