[发明专利]一种低功耗轨到轨驱动放大器电路

权利要求书

1.一种低功耗轨到轨驱动放大器电路，其特征在于，包括第一级放大器(100)、第一级放大器偏置电路(101)、驱动级放大器(200)和驱动级放大器偏置电路(201)；

所述第一级放大器偏置电路(101)与所述第一级放大器(100)内部节点相连，提供偏置电压；所述驱动级放大器偏置电路(201)与所述驱动级放大器(200)内部节点相连，提供偏置电压；

所述第一级放大器(100)设有输出端Vop1、Von1、Von2；所述第一级放大器偏置电路(101)设有输出端Vp；所述驱动级放大器(200)设有输入端Vop1’、Von1’、Von2’和Vp’；所述输出端Vop1、Von1、Von2和Vp分别与所述输入端Vop1’、Von1’、Von2’和Vp’相连；

所述第一级放大器(100)、第一级放大器偏置电路(101)、驱动级放大器(200)和驱动级放大器偏置电路(201)均连接电源VDD；

所述低功耗轨到轨驱动放大器电路用于功率放大器的栅极驱动；

所述驱动级放大器(200)包括补偿电容CM1、补偿电容CM2和补偿电阻R、输出端Vout和MOS管M43-M57；

驱动级放大器(200)输入端Von1’与MOS管M43的栅极相连，同时通过补偿电容CM1和补偿电阻R与输出端Vout相连，输出端Vout与MOS管M56的漏极、MOS管M57的漏极相连；输入端Von1’同时通过补偿电容CM1补偿电阻R和补偿电容CM2与输入端Von2’相连；MOS管M43的源极与电源VDD相连，MOS管M43的漏极与MOS管M44的源极相连；MOS管M44的栅极与输入端Vp’相连,MOS管M44的漏极与MOS管M45的漏极相连，同时与MOS管M45的栅极相连；MOS管M45的栅极与MOS管M48的栅极相连，同时与MOS管M51的栅极相连，MOS管M45的源极接地；MOS管M46的栅极与输入端Vop1’相连，MOS管M46的源极接电源VDD，MOS管M46的漏极与MOS管M47的源极相连；MOS管M47的栅极与输入端Vp’相连，MOS管M47的漏极与MOS管M48的漏极相连，同时与MOS管M54的漏极、MOS管M55栅极、MOS管M57栅极相连；MOS管M48源极接地；MOS管M49的源极接电源VDD，MOS管M49栅极与输入端Vop1’相连，MOS管M49的漏极与MOS管M50的源极相连；MOS管M50的栅极与输入端Vp’相连，MOS管M50的漏极与MOS管M51的漏极相连，同时与MOS管M53的漏极、MOS管M52的栅极、MOS管M56的栅极相连；MOS管M51的源极接地；MOS管M52的源极接电源VDD，MOS管M52的栅极与MOS管M56栅极相连，同时与MOS管M53的漏极相连，MOS管M52的漏极与MOS管M53的源极相连；MOS管M53的栅极与驱动级放大器偏置电路(201)相连；MOS管M54的栅极与驱动级放大器偏置电路(201)相连，MOS管M54的漏极与MOS管M55的栅极相连，还与MOS管M57的栅极相连，MOS管M54的源极与MOS管M55的漏极相连；MOS管M55的栅极与MOS管M57的栅极相连，MOS管M55的源极接地；MOS管M56的源极接电源VDD，MOS管M56的漏极与MOS管M57的漏极相连，同时与输出端Vout相连；MOS管M57的源极接地；

所述MOS管M44、M47和M50减小失配对驱动能力的影响，同时增大了输出级增益。

2.根据权利要求1所述的驱动放大器电路，其特征在于，所述MOS管M56和M57是高阈值管，负载电容在10nF以上。