[发明专利]场效应晶体管和制造其的方法以及包括其的片上系统

权利要求书

1.一种制造场效应晶体管的方法，该方法包括：

在衬底上形成鳍；

在所述鳍的彼此相反的侧面形成源电极和漏电极；

在所述鳍的位于所述源电极和所述漏电极之间的沟道部分上形成栅极堆叠；

在所述鳍的位于所述栅极堆叠的彼此相反的侧面上的延伸部分上形成栅极间隔物；

去除所述栅极间隔物的至少部分以暴露所述鳍的所述延伸部分；以及

对所述鳍的所述延伸部分进行氢退火，其中在对所述鳍的所述延伸部分进行所述氢退火之后，所述鳍的所述沟道部分具有第一宽度，并且所述鳍的所述延伸部分具有大于所述第一宽度的第二宽度。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述氢退火在从350℃至600℃的范围内的温度下执行。

3.根据权利要求1所述的方法，还包括在对所述鳍的所述延伸部分进行所述氢退火之后，在所述鳍的所述延伸部分上沉积电介质材料。

4.根据权利要求3所述的方法，其中所述电介质材料包括从由硅氧化物、硅氮化物、硅碳氧化物、硅硼碳氮化物、硅碳氮化物、空气及其组合构成的组中选择的绝缘材料。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二宽度在从6nm至11nm的范围内，以及其中所述第一宽度在从4nm至7nm的范围内。

6.根据权利要求1所述的方法，还包括对所述鳍的所述延伸部分进行额外掺杂。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述额外掺杂用硼和磷族掺杂剂中的至少一种执行。

8.根据权利要求6所述的方法，其中所述额外掺杂的掺杂剂浓度在1E18原子/cm³至1E21原子/cm³的范围内。

9.根据权利要求6所述的方法，其中所述额外掺杂用从由等离子体掺杂、掺杂外延沉积、掺杂电介质沉积及其组合构成的工艺组中选择的工艺执行。

10.一种场效应晶体管，包括：

包含硅的鳍；

在所述鳍的彼此相反的侧面上的源电极和漏电极；

在所述鳍的沟道部分上的栅极堆叠；以及

在所述鳍的延伸部分上的栅极间隔物，

其中，所述鳍的所述沟道部分具有第一厚度，并且所述鳍的所述延伸部分具有大于所述第一厚度的第二厚度。

11.根据权利要求10所述的场效应晶体管，其中所述第二厚度在从6nm至11nm的范围内，以及其中所述第一厚度在从4nm至7nm的范围内。

12.根据权利要求11所述的场效应晶体管，其中所述第二厚度在从7nm至10nm的范围内。

13.根据权利要求10所述的场效应晶体管，其中所述栅极间隔物包括从由硅氧化物、硅氮化物、硅碳氧化物、硅硼碳氮化物、硅碳氮化物、空气及其组合构成的组中选择的绝缘材料。

14.根据权利要求10所述的场效应晶体管，其中所述鳍包括n型掺杂剂或p型掺杂剂。

15.一种片上系统，包括：

第一场效应晶体管；以及

第二场效应晶体管，其中所述第一场效应晶体管和所述第二场效应晶体管每个包括：

包含硅的鳍；

在所述鳍的彼此相反的侧面上的源电极和漏电极；

在所述鳍的沟道部分上的栅极堆叠；和

在所述鳍的延伸部分上的栅极间隔物，

其中所述鳍的所述沟道部分具有第一厚度，并且所述鳍的所述延伸部分具有大于所述第一厚度的第二厚度。

16.根据权利要求15所述的片上系统，其中所述第一场效应晶体管是nFET，所述第二场效应晶体管是pFET。