[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

基底衬底，其包括在第一方向上彼此间隔开的第一区域和第二区域；

光子装置，其设置在所述第一区域中并且构造为基于电信号产生光信号，所述光子装置包括：

第一掺杂层，其设置在所述基底衬底上；和

第二掺杂层，其设置在所述第一掺杂层上，使得所述第二掺杂层的至少一部分在与所述第一方向正交的第二方向上与所述第一掺杂层重叠，所述第二掺杂层在所述第二方向上具有第一厚度；以及

晶体管，其设置在所述第二区域中并且构造为将驱动信号作为所述电信号提供给所述光子装置，所述晶体管包括：

半导体层，其设置在所述基底衬底上并且在所述第一方向上与所述第一掺杂层间隔开；和

栅电极，其在所述第一方向上与所述第二掺杂层间隔开并且设置在所述半导体层上，在所述第二方向上设置在与所述第二掺杂层的水平相同的水平处，并且在所述第二方向上具有等于所述第一厚度的第二厚度。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括：第一绝缘层，其设置在所述基底衬底与所述第一掺杂层之间以及所述基底衬底与所述半导体层之间。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，还包括：第二绝缘层，其包括设置在所述第一掺杂层与所述第二掺杂层之间的第一部分和设置在所述半导体层与所述栅电极之间的第二部分，

其中，所述第二绝缘层的所述第一部分和所述第二绝缘层的所述第二部分在所述第二方向上设置在相同的水平处。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，所述第二绝缘层包括高k电介质材料。

5.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，所述第二绝缘层的所述第一部分在所述第二方向上的第一厚度等于所述第二绝缘层的所述第二部分在所述第二方向上的第二厚度。

6.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，所述第二绝缘层的所述第一部分和所述第二绝缘层的所述第二部分在所述第二方向上设置在相同的水平处。

7.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，所述第二绝缘层的所述第一部分与所述第二掺杂层完全重叠。

8.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，所述第二绝缘层的所述第一部分仅设置在所述第一掺杂层与所述第二掺杂层之间。

9.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，所述第二绝缘层的所述第一部分包括低k电介质材料，并且所述第二绝缘层的所述第二部分包括高k电介质材料。

10.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括：第一绝缘层，其设置在所述基底衬底与所述第一掺杂层之间，

其中，所述基底衬底与所述半导体层接触。

11.一种半导体装置，包括：

基底衬底，其包括在第一方向上彼此间隔开的第一区域和第二区域；

第一绝缘层，其设置在所述基底衬底上；

光子电路，其设置在所述第一区域中并且构造为将电信号转换为光信号，所述光子电路包括：

第一掺杂层，其设置在所述第一区域中的所述第一绝缘层上；

第二绝缘层的第一部分，其设置在所述第一掺杂层的至少一部分上；和

第二掺杂层，其设置在所述第一掺杂层上并且在垂直于所述第一方向的第二方向上具有第一厚度；以及

晶体管，其设置在所述第二区域中并且构造为将驱动信号作为所述电信号提供给所述光子电路，所述晶体管包括：

半导体层，其设置在所述第二区域中；和

栅电极，其设置在所述第二区域中的所述第二绝缘层的第二部分上并且在所述第二方向上具有等于所述第一厚度的第二厚度。

12.根据权利要求11所述的半导体装置，其中，所述第二掺杂层和所述栅电极在所述第二方向上设置在相同的水平处。