[发明专利]版图图形的填充方法

说明书

本申请公开了一种版图图形的填充方法，包括：提供包括辅助有源层、冗余有源层、辅助栅层以及冗余栅层的设计版图；选取线宽在第一预定线宽范围内的辅助有源层以及线宽在第二预定线宽范围内的冗余有源层；对于线宽在第一预定线宽范围内的辅助有源层，在小于第一预定线宽的辅助有源层上添加辅助硅锗层，在至少一个大于所述第一预定线宽的辅助有源层上添加辅助硅锗层；对于线宽在第二预定线宽范围内的冗余有源层，根据冗余有源层周围的图形确定需要添加的冗余硅锗层的样式进行添加。本申请通过对锗硅图形生长区域内的衬底图形进行分类，根据不同线宽的衬底图形采用不同的填充方式，在一定程度上解决了图形负载效应引起的缺陷问题。

技术领域

本申请涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种半导体器件的制造过程中的版图图形的填充方法。

背景技术

随着半导体制造的技术节点的不断缩小，工艺过程日益复杂，为了使硅锗(SiGe)图形能够更好的在衬底上外延生长，硅锗图形的有效密度需满足线上工艺需求，因此在半导体器件的制造过程中引入了硅锗冗余图形和器件辅助图形。

然而，申请人发现，在半导体器件的实际制造过程中，在生长面积较大的衬底图形上，因受图形生长负载效应的影响，硅锗无法有效地在衬底表面均匀生长，致使最终生成的硅锗图形在中间区域会产生凹坑缺陷。

发明内容

本申请提供了一种版图图形的填充方法，可以解决基于相关技术中提供的版图图形的填充方法生成的版图制造得到的半导体器件的硅锗图形具有缺陷问题。

一方面，本申请实施例提供了一种版图图形的填充方法，包括：

提供包括辅助有源层、冗余有源层、辅助栅层以及冗余栅层的设计版图；

选取线宽在第一预定线宽范围内的辅助有源层以及线宽在第二预定线宽范围内的冗余有源层；

对于线宽在第一预定线宽范围内的辅助有源层，在小于第一预定线宽的辅助有源层上添加辅助硅锗层，在至少一个大于所述第一预定线宽的辅助有源层上添加辅助硅锗层，所述第一预定线宽在所述第一预定线宽范围内；

对于线宽在第二预定线宽范围内的冗余有源层，在第一类型的冗余有源层添加冗余硅锗层，根据第二类型的冗余有源层周围的图形确定需要添加的冗余硅锗层的样式，在所述第二类型的冗余有源层上添加确定样式的冗余硅锗层，所述第一类型的冗余有源层是叠加有冗余栅层的冗余有源层，所述第二类型的冗余有源层是没有叠加冗余栅层的冗余有源层。

可选的，所述在小于第一预定线宽的辅助有源层上添加辅助硅锗层，包括：

通过逻辑运算在所述线宽在第一预定线宽范围内的辅助有源层中选取小于所述第一预定线宽的辅助有源层；

在所述小于所述第一预定线宽的辅助有源层上添加辅助硅锗层。

可选的，所述在至少一个大于所述第一预定线宽的辅助有源层上添加辅助硅锗层，包括：

通过逻辑运算在所述线宽在第一预定线宽范围内的辅助有源层中选取大于所述第一预定线宽的辅助有源层；

在至少一个大于所述第一预定线宽的辅助有源层上添加辅助硅锗层。

可选的，添加的辅助硅锗层与辅助有源层的叠加区域的线宽在第三预定线宽范围内，所述第三预定线宽范围在所述第一预定线宽范围内。

可选的，所述添加的辅助硅锗层的边缘与辅助有源层的边缘之间的距离在第一预定距离范围内，所述第一预定距离范围在所述第一预定线宽范围内。

可选的，所述第三预定线宽范围为50纳米至100纳米，所述第一距离范围为50纳米至70纳米。

可选的，所述根据第二类型的冗余有源层周围的图形确定需要添加的冗余硅锗层的样式，包括：