[发明专利]一种半导体器件测试方法及系统在审
| 申请号： | 201910985227.9 | 申请日： | 2019-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN110531243A | 公开（公告）日： | 2019-12-03 |
| 发明（设计）人： | 安博;吴海雷;刘畅 | 申请（专利权）人： | 启发(天津)电子科技有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26;G01R27/26 |
| 代理公司： | 11332 北京品源专利代理有限公司 | 代理人： | 孟金喆<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 300467 天津市滨海新*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 低频电容 电压测试 高频电容 半导体器件 激励信号 损耗因数 半导体器件测试 测试方法及系统 曲线测试 电容 测试 | ||
1.一种半导体器件测试方法，其特征在于：
通过频率小于1Khz的激励信号对待测半导体器件进行低频电容-电压测试，测得低频电容值；
通过频率大于1KHz的激励信号对待测半导体器件进行高频电容-电压测试，测得高频电容值；
利用所述低频电容值和所述高频电容值计算出损耗因数曲线。
2.如权利要求1所述的测试方法，其特征在于：还包括：
进行所述低频电容-电压测试以及高频电容-电压测试时，测量待测半导体器件的等效串联电阻；
利用所述等效串联电阻修正所述低频电容值以及所述高频电容值；
利用修正后的低频电容值计算第一损耗因数，利用修正后的高频电容值和低频电容值计算第二损耗因数，根据所述第一损耗因数和所述第二损耗因数计算所述损耗因数曲线。
3.如权利要求1所述的测试方法，其特征在于：通过20Hz～1KHz的激励信号对待测半导体器件进行所述低频电容-电压测试，通过1KHz～1MHz的激励信号对待测半导体器件进行所述高频电容-电压测试。
4.如权利要求2所述的测试方法，其特征在于：利用所述等效串联电阻修正所述低频电容值以及所述高频电容值，包括：
采用如下公式计算修正后的低频电容值：
式中，CL为低频电容值，ω是激励信号的角频率，R为等效串联电阻。
5.如权利要求4所述的测试方法，其特征在于：利用所述等效串联电阻修正所述低频电容值以及所述高频电容值，包括：
采用如下公式计算修正后的高频电容值：
式中，CH为高频电容值，ω是激励信号的角频率，R为等效串联电阻。
6.如权利要求4所述的测试方法，其特征在于：利用所述修正后的低频电容值计算第一损耗因数，包括：
采用如下公式计算所述第一损耗因数：
式中，q是电荷值，COX为氧化层电容值，CXL为修正后的低频电容值，CS为理论半导体电容值。
7.如权利要求5所述的测试方法，其特征在于：利用修正后的高频电容值和低频电容值计算第二损耗因数，包括：
采用如下公式计算所述第二损耗因数：
式中，q是电荷值，COX为氧化层电容值，CXL为修正后的低频电容值，CXH为修正后的高频电容值。
8.如权利要求1所述的测试方法，其特征在于：经指定时间间隔后重复利用测试序列进行电容-电压测试，所述测试序列包括若干不同指定频率的激励信号。
9.如权利要求8所述的测试方法，其特征在于：利用测试数据生成测试数据曲线，并将所述测试序列中的测试数据以表格形式存贮。
10.一种半导体器件测试系统，其特征在于：包括控制端和测试仪，
所述测试仪用于通过频率小于1Khz的激励信号对待测半导体器件进行低频电容-电压测试，测得低频电容值；并通过频率大于1KHz的激励信号对待测半导体器件进行高频电容-电压测试，测得高频电容值；
所述控制端用于利用所述低频电容值和所述高频电容值计算出损耗因数曲线。
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